+ MB85R4M2T, Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM) объёмом 4 Мбит с параллельным интерфейсом, совместимая с низковольтной памятью SRAM
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MB85R4M2T Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM) объёмом 4 Мбит с параллельным интерфейсом, совместимая с низковольтной памятью SRAM

 

Блок-схема

MB85R4M2T, Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM) объёмом 4 Мбит с параллельным интерфейсом, совместимая с низковольтной памятью SRAM
Увеличить

Группа компонентов

FRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K 256
Организация: Разрядов,бит 16
VCC,В от 1.8 до 3.6
TA,°C от -40 до 85
Корпус TSOP-44

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Организация памяти: 262 144 слов × 16 бит
  • Управление по старшему или младшему байту данных: возможна организация памяти 524 288 слов × 8 бит
  • Количество циклов перезаписи: 1012 (16 бит)
  • Гарантированный срок хранения данных: 10 лет (при температуре +85°C)
  • Диапазон напряжения питания: от 1.8 В до 3.6 В
  • Максимальный ток потребления:
    • В рабочем режиме — 20 мА
    • В ждущем режиме 150 мкА
    • В спящем режиме — 20 мкА
  • Диапазон рабочих температур: от − 40°C до + 85°C
  • 44-выводной пластиковый корпус TSOP (FPT-44P-M34)
  • Соответствует требованиям директивы RoHS

Область применения:

  • Радиационно-защищенные системы диагностики
  • Измерители потока жидкости или газа
  • Ветряные мельницы/солнечные инверторы
  • Предохранители
  • Схемы управления двигателями/угловой энкодер
  • Программируемый логический контроллер
  • Кассовые аппараты/мобильные платежные терминалы
  • Системы мониторинга промышленных техпроцессов
  • Промышленные датчики
  • Торговые и игровые автоматы
  • Замена блоков памяти на основе SRAM с резервным питанием от батареи
Datasheet
 
MB85R4M2T (615.4 Кб), 03.06.2014

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

MB85R4M2T Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM) объёмом 4 Мбит с параллельным интерфейсом, совместимая с низковольтной памятью SRAM (615.4 Кб), 03.06.2014



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1254 		Дата публикации: 03.06.2014 12:43
Дата редактирования: 03.06.2014 12:44

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники