Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
IS65WV102416ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
TSOPI-48 |
|
IS65WV12816ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
|
|
IDT7200L20TDB | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 20 нс, -55°C...+125°C MIL-STD-883, Class B | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -55 ... 125 |
CDIP-28 |
|
1645РТ2У | Однократно электрически программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 256К (32Кх8) бит | Миландр |
NOR Flash |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
5134.64-6 |
|
M24C64-W | EEPROM 64кбит с интерфейсом I²C | STMicroelectronics |
EEPROM |
8 | 8 | 2.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
DIP-8 SOIC-8 TSSOP-8 |
|
CAT24C04 | Последовательная память объемом 4Кб | ON Semiconductor |
SEEPROM |
512 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
DIP-8 MSOP-8 SOIC-8 TSSOP-8 |
|
IS64LV6416L | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
|
1645РТ3У | Однократно программируемое ПЗУ Flash-типа емкостью 2M с перестраиваемой организацией 128Кх16 или 256Кх8 | Миландр |
NOR Flash |
256 | 8 | 3 ... 5.5 | -60 ... 125 |
5134.64-6 |
|
IS64LPS25636A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх36 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 36 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 |
TQFP-100 |
|
CAT24C02 | Последовательная память объемом 2Кб | ON Semiconductor |
SEEPROM |
256 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
DIP-8 MSOP-8 SOIC-8 TSSOP-8 |
|
IS64WV102416BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
TSOPI-48 |
|
AT25256A Automotive | SEEPROM с интерфейсом SPI, расширенным температурным диапазоном и объемом памяти 256К | Atmel Corporation |
SEEPROM |
256 | 8 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
|
1636РР2АУ | 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа | Миландр |
NOR Flash |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н16.48-1В |
|
IS61C5128AS | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
|
1636РР3У | 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа | Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н14.42-1В |
|
AT93C86A Automotive | 3-х проводная SEEPROM с расширенным температурным диапазоном и объемом памяти 16К | Atmel Corporation |
SEEPROM |
16 | - | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
|
CY62128EV30 | Статическая память 128К х 8 семейства MoBL® | Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
|
M35B32 | Микросхема памяти EEPROM объемом 32 Кб с интерфейсом SPI | STMicroelectronics |
EEPROM |
32 | - | 2.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 TSSOP-8 |
|
CAT24C01 | Последовательная память объемом 1Кб | ON Semiconductor |
SEEPROM |
128 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
DIP-8 MSOP-8 SOIC-8 TSSOP-8 |
|
1636РР1АУ | 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа | Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н14.42-1В |