CLF1G0035S-100P
|
Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP
|
|
CLF1G0035S-50
|
Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP
|
|
CLF1G0060-10
|
Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP
|
|
CLF1G0060-30
|
Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP
|
|
CLF1G0060S-10
|
Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP
|
|
CLF1G0060S-30
|
Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP
|
|
PBSM5240PF
|
40 В, 2A PNP транзистор с низким VCEsat (BISS), N-каналом Trench MOSFET |
|
NXP
|
|
TFF11084HN
|
Генератор для гетеродина с низким уровнем фазового шума для VSAT приложений |
|
NXP
|
|
TFF11094HN
|
Генератор для гетеродина с низким уровнем фазового шума для VSAT приложений |
|
NXP
|
|
TFF11096HN
|
Генератор для гетеродина с низким уровнем фазового шума для VSAT приложений |
|
NXP
|
|
TFF11105HN
|
Генератор для гетеродина с низким уровнем фазового шума для VSAT приложений |
|
NXP
|
|
TFF11115HN
|
Генератор для гетеродина с низким уровнем фазового шума для VSAT приложений |
|
NXP
|
|
TFF11152HN
|
Генератор для гетеродина с низким уровнем фазового шума для VSAT приложений |
|
NXP
|
|