Компоненты группы Стабилитроны
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | PD Вт |
VZ (ном.) В |
IZT мА |
ZZT (макс.) Ом |
IZK мА |
ZZK (макс.) Ом |
VRRM В |
IR (макс.) мкА |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
BZX79C6V2 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 6.2 | 5 | 10 | 1 | 150 | 4 | 3 | 175 |
|
|
BZS55C9V1 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 9.1 | 5 | 10 | 1 | 50 | 6.8 | 0.1 | 150 |
|
|
BZD27C13P | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 13 | 50 | 10 | - | - | 10 | 2 | 175 |
|
|
BZY55C6V2 | Стабилитрон мощностью 1.3 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 6.2 | 5 | 10 | 1 | 200 | 2 | 0.1 | 150 |
|
|
BZS55B6V2 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 6.2 | 5 | 10 | 1 | 200 | 2 | 0.1 | 150 |
|
|
BZX85C5V1 | Стабилитрон мощностью 1.3 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1.3 | 5.1 | 45 | 10 | 1 | 500 | 1.5 | 1 | 200 |
|
|
BZT52B6V2S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 6.2 | 5 | 10 | 1 | 141 | 4 | 2.7 | 150 |
|
|
TSZU52C6V2 | Стабилитрон мощностью 0.15 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.15 | 6.2 | 5 | 10 | 1 | 200 | 2 | 0.1 | 125 |
|
|
BZV55B6V2 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 6.2 | 5 | 10 | 1 | 200 | 2 | 0.1 | 175 |
|
|
BZT55C9V1 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 9.1 | 5 | 10 | 1 | 50 | 6.8 | 0.1 | 175 |
|
|
BZS55C6V2 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 6.2 | 5 | 10 | 1 | 200 | 2 | 0.1 | 150 |
|
|
ZM4743A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 13 | 19 | 10 | 0.25 | 700 | 9.9 | 5 | 175 |
|
|
BZT55C6V2 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 6.2 | 5 | 10 | 1 | 200 | 2 | 0.1 | 175 |
|
|
BZT52B6V2 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 6.2 | 5 | 10 | 1 | 141 | 4 | 2.7 | 150 |
|
|
BZX79B6V2 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 6.2 | 5 | 10 | 1 | 150 | 4 | 3 | 200 |
|
|
BZX55C9V1 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 9.1 | 5 | 10 | 1 | 50 | 6.8 | 0.1 | 200 |
|
|
BZT55B9V1 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 9.1 | 5 | 10 | 1 | 50 | 6.8 | 0.1 | 175 |
|
|
1N4743A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 13 | 19 | 10 | 0.25 | 700 | 9.9 | 5 | 150 |
|
|
BZX55C6V2 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 6.2 | 5 | 10 | 1 | 200 | 2 | 0.1 | 200 |
|
|
BZT55B6V2 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 6.2 | 5 | 10 | 1 | 200 | 2 | 0.1 | 175 |
|