Компоненты группы Стабилитроны
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | PD Вт |
VZ (ном.) В |
IZT мА |
ZZT (макс.) Ом |
IZK мА |
ZZK (макс.) Ом |
VRRM В |
IR (макс.) мкА |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| 2M6.8Z | Стабилитрон мощностью 2 Вт в корпусе, капсулированным стеклом |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 2 | 6.8 | 100 | 1.5 | 1 | 200 | 5.5 | 1000 | 175 |
|
| BZD27C8V2P | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 8.2 | 100 | 2 | - | - | 3 | 10 | 175 |
|
| BZD27C7V5P | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 7.5 | 100 | 2 | - | - | 3 | 50 | 175 |
|
| BZD27C6V8P | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 6.8 | 100 | 3 | - | - | 3 | 10 | 175 |
|
| BZX85C3V3 | Стабилитрон мощностью 1.3 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1.3 | 3.3 | 80 | 20 | 1 | 400 | 1 | 40 | 200 |
|
| 1N4728G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 3.3 | 76 | 10 | 1 | 400 | 1 | 100 | 200 |
|
| ZM4728A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 3.3 | 76 | 10 | 1 | 400 | 1 | 100 | 175 |
|
| 1SMC5352 | Стабилитрон мощностью 5 Вт в корпусе для поверхностного монтажа |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 5 | 15 | 75 | 2.5 | 315 | 75 | 11.5 | 1 | 150 |
|
| ZM4729A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 3.6 | 69 | 10 | 1 | 400 | 1 | 100 | 175 |
|
| 1N4729G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 3.6 | 69 | 10 | 1 | 400 | 1 | 100 | 200 |
|
| ZM4730A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 3.9 | 64 | 9 | 1 | 400 | 1 | 50 | 175 |
|
| 1N4730G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 3.9 | 64 | 9 | 1 | 400 | 1 | 50 | 200 |
|
| BZX85C3V9 | Стабилитрон мощностью 1.3 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1.3 | 3.9 | 60 | 15 | 1 | 500 | 1 | 20 | 200 |
|
| BZX85C3V6 | Стабилитрон мощностью 1.3 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1.3 | 3.6 | 60 | 20 | 1 | 500 | 1 | 20 | 200 |
|
| ZM4731A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 4.3 | 58 | 9 | 1 | 400 | 1 | 10 | 175 |
|
| 1N4731G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 4.3 | 58 | 9 | 1 | 400 | 1 | 10 | 200 |
|
| ZM4732A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 4.7 | 53 | 8 | 1 | 500 | 1 | 10 | 175 |
|
| 1N4732G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 4.7 | 53 | 8 | 1 | 500 | 1 | 10 | 200 |
|
| BZD17C13P | Стабилитрон мощностью 800 мВт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.8 | 13 | 50 | 10 | - | - | 10 | 2 | 175 |
|
| BZD17C12P | Стабилитрон мощностью 800 мВт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.8 | 12 | 50 | 7 | - | - | 9.1 | 3 | 175 |
|
