Компоненты группы Стабилитроны
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | PD Вт |
VZ (ном.) В |
IZT мА |
ZZT (макс.) Ом |
IZK мА |
ZZK (макс.) Ом |
VRRM В |
IR (макс.) мкА |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
1M200Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 200 | 1.2 | 1500 | 0.25 | 8000 | 152 | 5 | 150 |
|
|
1SMA200Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в корпусе для поверхностного монтажа | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 200 | 1.2 | 1500 | 0.25 | 8000 | 152 | 1 | 150 |
|
|
1M180Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 180 | 1.4 | 1200 | 0.25 | 7000 | 136.8 | 5 | 150 |
|
|
1SMA5956 | Стабилитрон мощностью 1.5 Вт в корпусе для поверхностного монтажа | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1.5 | 210 | 1.9 | 1200 | 0.25 | 8000 | 152 | 0.5 | 150 |
|
|
1SMA180Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в корпусе для поверхностного монтажа | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 180 | 1.4 | 1200 | 0.25 | 7000 | 136.8 | 1 | 150 |
|
|
1SMB5956 | Стабилитрон мощностью 3 Вт в корпусе для поверхностного монтажа | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 3 | 200 | 1.9 | 1200 | 0.25 | 8000 | 152 | 1 | 150 |
|
|
1M160Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 160 | 1.6 | 1100 | 0.25 | 6500 | 121.6 | 5 | 150 |
|
|
LLZ51 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 51 | 5 | 1100 | - | - | 39 | 0.2 | 200 |
|
|
1SMA160Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в корпусе для поверхностного монтажа | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 160 | 1.6 | 1100 | 0.25 | 6500 | 121.6 | 1 | 150 |
|
|
1M150Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 150 | 1.7 | 1000 | 0.25 | 6000 | 114 | 5 | 150 |
|
|
1SMA150Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в корпусе для поверхностного монтажа | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 150 | 1.7 | 1000 | 0.25 | 6000 | 114 | 1 | 150 |
|
|
2M200Z | Стабилитрон мощностью 2 Вт в корпусе, капсулированным стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 2 | 200 | 2.5 | 900 | 0.25 | 8000 | 152 | 0.5 | 175 |
|
|
1SMA5955 | Стабилитрон мощностью 1.5 Вт в корпусе для поверхностного монтажа | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1.5 | 180 | 2.1 | 900 | 0.25 | 7000 | 136.8 | 0.5 | 150 |
|
|
1SMB5955 | Стабилитрон мощностью 3 Вт в корпусе для поверхностного монтажа | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 3 | 180 | 2.1 | 900 | 0.25 | 7000 | 136.8 | 1 | 150 |
|
|
BZD17C220P | Стабилитрон мощностью 800 мВт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.8 | 220 | 4 | 900 | - | - | 160 | 1 | 175 |
|
|
BZD27C220P | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 220 | 4 | 900 | - | - | 160 | 1 | 175 |
|
|
2M190Z | Стабилитрон мощностью 2 Вт в корпусе, капсулированным стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 2 | 190 | 2.6 | 825 | 0.25 | 8000 | 144.8 | 0.5 | 175 |
|
|
BZD17C200P | Стабилитрон мощностью 800 мВт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.8 | 200 | 4 | 750 | - | - | 150 | 1 | 175 |
|
|
BZD27C200P | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 200 | 4 | 750 | - | - | 150 | 1 | 175 |
|
|
2M180Z | Стабилитрон мощностью 2 Вт в корпусе, капсулированным стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 2 | 180 | 2.8 | 725 | 0.25 | 7000 | 136.8 | 0.5 | 175 |
|