Компоненты группы Стабилитроны
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | PD Вт |
VZ (ном.) В |
IZT мА |
ZZT (макс.) Ом |
IZK мА |
ZZK (макс.) Ом |
VRRM В |
IR (макс.) мкА |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BZS55B30 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 30 | 5 | 80 | 1 | 220 | 22 | 0.1 | 150 |
|
| BZS55B36 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 36 | 5 | 80 | 1 | 220 | 27 | 0.1 | 150 |
|
| BZS55B3V3 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.3 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 2 | 150 |
|
| BZS55C22 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 22 | 5 | 55 | 1 | 220 | 16 | 0.1 | 150 |
|
| BZS55C2V4 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 50 | 150 |
|
| 1M110Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 110 | 2.3 | 450 | 0.25 | 4000 | 83.6 | 5 | 150 |
|
| 1M120Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 120 | 2 | 550 | 0.25 | 4500 | 91.2 | 5 | 150 |
|
| 1M130Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 130 | 1.9 | 700 | 0.25 | 5000 | 98.8 | 5 | 150 |
|
| 1M150Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 150 | 1.7 | 1000 | 0.25 | 6000 | 114 | 5 | 150 |
|
| 1M160Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 160 | 1.6 | 1100 | 0.25 | 6500 | 121.6 | 5 | 150 |
|
| 1M180Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 180 | 1.4 | 1200 | 0.25 | 7000 | 136.8 | 5 | 150 |
|
| 1M200Z | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 200 | 1.2 | 1500 | 0.25 | 8000 | 152 | 5 | 150 |
|
| 1N4728G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 3.3 | 76 | 10 | 1 | 400 | 1 | 100 | 200 |
|
| 1N4729G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 3.6 | 69 | 10 | 1 | 400 | 1 | 100 | 200 |
|
| 1N4730G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 3.9 | 64 | 9 | 1 | 400 | 1 | 50 | 200 |
|
| 1N4731G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 4.3 | 58 | 9 | 1 | 400 | 1 | 10 | 200 |
|
| 1N4732G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 4.7 | 53 | 8 | 1 | 500 | 1 | 10 | 200 |
|
| 1N4733G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 5.1 | 49 | 7 | 1 | 550 | 1 | 10 | 200 |
|
| 1N4734G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 5.6 | 45 | 5 | 1 | 600 | 2 | 10 | 200 |
|
| 1N4735G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 6.2 | 41 | 2 | 1 | 700 | 3 | 10 | 200 |
|
