Компоненты группы Стабилитроны
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | PD Вт |
VZ (ном.) В |
IZT мА |
ZZT (макс.) Ом |
IZK мА |
ZZK (макс.) Ом |
VRRM В |
IR (макс.) мкА |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
BZT52C56S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 56 | 2 | 200 | 0.5 | 400 | 39.2 | 0.045 | 150 |
|
|
BZX55B56 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2%, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 56 | 2.5 | 135 | 0.5 | 1000 | 42 | 0.1 | 200 |
|
|
1N4758A | Стабилитрон мощностью 1 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 56 | 4.5 | 110 | 0.25 | 2000 | 42.6 | 5 | 150 |
|
|
BZT52C56K | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 56 | 1 | 200 | 1 | 500 | 43 | 1 | 150 |
|
|
BZV79C56 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 56 | 2 | 200 | 0.5 | 425 | 39.2 | 0.05 | 200 |
|
|
MMSZ5263B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5%, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 56 | 2.2 | 150 | 0.25 | 1300 | 43 | 0.1 | 150 |
|
|
1N5263B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 56 | 2.2 | 150 | 0.25 | 1300 | 43 | 0.1 | 200 |
|
|
BZV55C56 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 56 | 2.5 | 135 | 0.5 | 1000 | 42 | 0.1 | 175 |
|
|
BZT52C56 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 56 | 2 | 200 | 0.5 | 400 | 39.2 | 0.045 | 150 |
|
|
LLZ5263B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 56 | 2.2 | 150 | 0.25 | 1300 | 43 | 0.1 | 200 |
|
|
BZX85C56 | Стабилитрон мощностью 1.3 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1.3 | 56 | 4 | 120 | 0.25 | 2000 | 39 | 0.5 | 200 |
|
|
BZX79C56 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 56 | 2 | 200 | 0.5 | 425 | 39.2 | 0.05 | 175 |
|
|
BZT52B56S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 56 | 2 | 200 | 0.5 | 400 | 39.2 | 0.045 | 150 |
|
|
BZV55B56 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 56 | 2.5 | 135 | 0.5 | 1000 | 42 | 0.1 | 175 |
|
|
2M56Z | Стабилитрон мощностью 2 Вт в корпусе, капсулированным стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 2 | 56 | 9 | 55 | 0.25 | 2000 | 42.6 | 0.5 | 175 |
|
|
2M51Z | Стабилитрон мощностью 2 Вт в корпусе, капсулированным стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 2 | 51 | 9.8 | 48 | 0.25 | 1500 | 38.8 | 0.5 | 175 |
|
|
BZD17C51P | Стабилитрон мощностью 800 мВт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.8 | 51 | 10 | 60 | - | - | 39 | 1 | 175 |
|
|
1SMA4757 | Стабилитрон мощностью 1 Вт в корпусе для поверхностного монтажа | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 51 | 5 | 95 | 0.25 | 1500 | 38.8 | 1 | 150 |
|
|
BZT55C51 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 51 | 2.5 | 125 | 0.5 | 700 | 38 | 0.1 | 175 |
|
|
1N4757G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 51 | 5 | 95 | 0.25 | 1500 | 38.8 | 5 | 200 |
|