Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXGH120N30C3 IGBT-транзистор, 300 В, 120 А, частота коммутации 50...150 кГц

 

Блок-схема

IXGH120N30C3, IGBT-транзистор, 300 В, 120 А, частота коммутации 50...150 кГц

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 300
Рабочий ток: IC,А 120
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat),В 1.75
td(on) (тип.),нс 28
tr (тип.),нс 38
td(off) (тип.),нс 120
tf (тип.),нс 113
EON (тип.),мДж 0.37
EOFF (тип.),мДж 0.88
PD,Вт 540
FWD Нет
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-247AD
Datasheet
 
IXGH120N30C3 (117.6 Кб), 10.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGH120N30C3 IGBT-транзистор, 300 В, 120 А, частота коммутации 50...150 кГц (117.6 Кб), 10.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 971 		Дата публикации: 10.02.2012 07:43
Дата редактирования: 10.02.2012 07:45

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники