Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
STGW35NB60S N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 35 А STMicroelectronics IGBT
 600 35 100 1.7 92 70 1100 790 0.84 7.4 200 Нет -55 ... -150 TO-247
STGW35NB60SD N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 35 А STMicroelectronics IGBT
 600 35 100 1.7 92 70 1100 790 0.84 7.4 200 Да -55 ... -150 TO-247
STGW35NC120HD Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1200 В, 32 А STMicroelectronics IGBT
 1200 32 100 2.75 29 11 275 312 1660 4438 235 Да -55 ... -150 TO-247
STGW38IH130D Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1300 В, 33 А STMicroelectronics IGBT
 1300 33 100 2.8 - - 284 180 - 3.4 250 Да -55 ... -150 TO-247
STGW39NC60VD Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 40 А STMicroelectronics IGBT
 600 40 100 2.4 33 13 178 65 333 537 250 Да -55 ... -150 TO-247
STGW40N120KD IGBT-транзистор на 1200 В, 30А STMicroelectronics IGBT
 1200 40 100 2.7 48 40 338 210 3.7 5.7 240 Да -55 ... 125 TO-247
STGW40NC60KD IGBT-транзистор на 600 В, 40 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 38 100 2.7 46 18.5 164 87 595 716 250 Да -55 ... -150 TO-247
STGW40NC60V N-канальный быстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 50 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 50 100 2.5 43 17 140 45 330 720 260 Нет -55 ... -150 TO-247
STGW40NC60W Ультрабыстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 40 А STMicroelectronics IGBT
 600 40 100 2.5 33 12 168 36 302 349 250 Нет -55 ... -150 TO-247
STGW40NC60WD Ультрабыстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 40 А STMicroelectronics IGBT
 600 40 100 2.5 33 12 168 36 302 349 250 Да -55 ... -150 TO-247
STGW45HF60WD Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 45А, 600В STMicroelectronics IGBT
 600 45 100 1.9 - - - - - - 250 Да -55 ... 150 TO-247
STGW45HF60WDI Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 45А, 600В STMicroelectronics IGBT
 600 50 100 1.9 - - - - - - 310 Да -55 ... 150 TO-247
TO-247LL
STGW45NC60VD Быстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 45 А STMicroelectronics IGBT
 600 50 100 2.4 33 13 178 65 333 537 270 Да -55 ... -150 TO-247
STGW45NC60WD Ультрабыстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 45 А STMicroelectronics IGBT
 600 45 100 2.6 33 12 168 36 302 349 285 Да -55 ... -150 TO-247
STGW50NC60W N-канальный ультрабыстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 55 А STMicroelectronics IGBT
 600 55 100 2.6 52 17 240 35 365 560 285 Нет -55 ... -150 TO-247
STGWS38IH130D Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1300 В, 33 А STMicroelectronics IGBT
 1300 25 - 2.8 - - - - - - 180 Да -55 ... -150 TO-247
STGY40NC60VD N-канальный быстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 50 А STMicroelectronics IGBT
 600 50 100 2.5 43 17 140 45 330 720 260 Да -55 ... -150 Max247
STGY50NC60WD Ультрабыстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 50 А STMicroelectronics IGBT
 600 50 100 2.6 52 17 240 35 365 560 278 Да -55 ... -150 Max247
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7  



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники