Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
STGW38IH130D Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1300 В, 33 А STMicroelectronics IGBT
1300 33 100 2.8 - - 284 180 - 3.4 250 Да -55 ... -150 TO-247
STGW40N120KD IGBT-транзистор на 1200 В, 30А STMicroelectronics IGBT
1200 40 100 2.7 48 40 338 210 3.7 5.7 240 Да -55 ... 125 TO-247
STGW35NB60SD N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 35 А STMicroelectronics IGBT
600 35 100 1.7 92 70 1100 790 0.84 7.4 200 Да -55 ... -150 TO-247
STGW35NB60S N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 35 А STMicroelectronics IGBT
600 35 100 1.7 92 70 1100 790 0.84 7.4 200 Нет -55 ... -150 TO-247
STGB20NB37LZ IGBT-транзистор на 400 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
400 20 100 1.35 2300 600 2000 11500 8800 11800 200 Нет -55 ... 175 D2-PAK
STGE200NB60S N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 150 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 150 100 1.6 64 112 2400 1230 11.7 59 600 Нет -55 ... -150 ISOTOP
STGB3NB60SD N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства Power MESH™ STMicroelectronics IGBT
600 3 100 1.5 125 150 3400 720 1100 1.15 70 Да -60 ... -175 D2-PAK
STGB10NB40LZ IGBT-транзистор на 410 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
410 10 100 1.2 1300 270 8000 1400 2.4 5 150 Нет -55 ... 175 D2-PAK
STGP10NB37LZ IGBT-транзистор 10 А, 410 В, внутренне-замкнутый STMicroelectronics IGBT
410 10 100 1.3 1300 270 8000 1400 2.4 5 125 Нет -65 ... 175 TO-220
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 А, 410 В, внутренне-замкнутый STMicroelectronics IGBT
410 10 100 1.3 1300 270 8000 1400 2.4 5 125 Нет -65 ... 175 D2-PAK
STGD5NB120SZ-1 Внутреннезамкнутый IGBT-транзистор на 1200 В, 5 А STMicroelectronics IGBT
1200 5 100 2 690 170 12100 1130 2.59 9 75 Нет -55 ... -150 I-PAK
STGB20NB41LZ IGBT-транзистор на 410 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
412 20 100 1.3 1000 220 12100 1600 5 12.9 200 Нет -55 ... 175 D2-PAK
STGD5NB120SZT4 Внутреннезамкнутый IGBT-транзистор на 1200 В, 5 А STMicroelectronics IGBT
1200 5 100 2 690 170 12100 1130 2.59 9 75 Нет -55 ... -150 D-PAK
STGP18N40LZ IGBT-транзистор на 390 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
390 30 100 1.3 650 3500 13500 5500 - - 150 Нет -55 ... 175 TO-220
STGD18N40LZ IGBT-транзистор на 390 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
390 25 100 1.3 650 3500 13500 5500 - - 125 Нет -55 ... 175 D-PAK
I-PAK
STGB18N40LZ IGBT-транзистор на 390 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
390 30 100 1.3 650 3500 13500 5500 - - 150 Нет -55 ... 175 D2-PAK
I2PAK
STGP35N35LZ IGBT-транзистор на 345 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
345 30 100 1.3 1100 700 26500 5500 - - 176 Нет -55 ... 175 TO-220
STGB35N35LZ IGBT-транзистор на 345 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
345 30 100 1.3 1100 700 26500 5500 - - 176 Нет -55 ... 175 D2-PAK
I2PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019