Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
STGDL6NC60D Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 6 А STMicroelectronics IGBT
600 5 100 2.9 6.7 3.7 46 47 46.5 23.5 50 Да -55 ... -150 D-PAK
STGBL6NC60D Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 6 А STMicroelectronics IGBT
600 6 100 2.9 6.7 3.7 46 47 46.5 23.5 56 Да -55 ... -150 D2-PAK
STGP10NB60SD N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 10 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.7 0.7 0.46 - 1200 0.6 5 31.5 Да -65 ... -150 TO-220
STGD3HF60WD Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 3 А STMicroelectronics IGBT
600 - 100 1.8 - - - - - - - Да -55 ... -150 D-PAK
STGD10NC60HD Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
600 10 - 2.5 - - - - - - 62 Да -55 ... -150 D-PAK
STGP10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 - 1.6 - - - - - - 80 Да -40 ... 175 TO-220
STGF10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 6 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 6 - 1.6 - - - - - - 30 Да -40 ... 175 TO-220FP
STGD10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 - 1.6 - - - - - - 80 Да -40 ... 175 D-PAK
STGB10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.6 - - - - - - 80 Да -40 ... 175 D2-PAK
STGW100N30 Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
330 45 100 2.6 - - 134 57 - - 250 Нет -55 ... 150 TO-247
STGP100N30 Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
330 45 100 2.6 - - 134 57 - - 250 Нет -55 ... 150 TO-220
STGF100N30 Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
330 10 100 2.6 - - 135 57 - - 40 Нет -55 ... 150 TO-220FP
STGP14HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 14 - 2.1 - - - - - - 95 Да -40 ... -175 TO-220
STGF14HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 7 100 2.1 - - - - - - 33 Да -40 ... -175 TO-220FP
STGWS38IH130D Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1300 В, 33 А STMicroelectronics IGBT
1300 25 - 2.8 - - - - - - 180 Да -55 ... -150 TO-247
STGW38IH130D Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1300 В, 33 А STMicroelectronics IGBT
1300 33 100 2.8 - - 284 180 - 3.4 250 Да -55 ... -150 TO-247
STGW45HF60WDI Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 45А, 600В STMicroelectronics IGBT
600 50 100 1.9 - - - - - - 310 Да -55 ... 150 TO-247
TO-247LL
STGW45HF60WD Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 45А, 600В STMicroelectronics IGBT
600 45 100 1.9 - - - - - - 250 Да -55 ... 150 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019