Главная > Документация > Микросхемы > Память > RAM

Компоненты группы NVSRAM

Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
I_CC(STB) (мкА)
I_CC (мА)
Время выборки (нс)
V_CC (В)	От до
T_A (°C)	От до
Корпус

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 следующая

Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	Организация		I_CC(STB) мкА	I_CC мА	Время выборки нс	V_CC В	T_A °C	Корпус
Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	Слов K	Разрядов бит	I_CC(STB) мкА	I_CC мА	Время выборки нс	V_CC В	T_A °C	Корпус

DS2065W	Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 8Мб и напряжением 3.3В		Maxim Integrated	NVSRAM	1024	8	5000	50	100	3 ... 3.6	-40 ... 85	PBGA-256
DS3045W	Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC		Maxim Integrated	NVSRAM	128	8	5000	50	100	3 ... 3.6	-40 ... 85	PBGA-256
DS2045Y	Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб		Maxim Integrated	NVSRAM	128	8	5000	85	70	4.5 ... 5.5	-40 ... 85	PBGA-256
DS2030L	Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб и напряжением 3.3В		Maxim Integrated	NVSRAM	32	8	1000	50	100	3 ... 3.6	-40 ... 85	PBGA-256
DS2045W	Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб и напряжением 3.3В		Maxim Integrated	NVSRAM	128	8	5000	50	100	3 ... 3.6	-40 ... 85	PBGA-256
DS2045L	Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб и напряжением 3.3В		Maxim Integrated	NVSRAM	128	8	1000	50	100	3 ... 3.6	-40 ... 85	PBGA-256
DS2030AB	Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 256Кб		Maxim Integrated	NVSRAM	32	8	5000	85	70	4.75 ... 5.25	-40 ... 85	PBGA-256
DS3050W	Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC		Maxim Integrated	NVSRAM	512	8	5000	50	100	3 ... 3.6	-40 ... 85	PBGA-256
DS2030Y	Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 256Кб		Maxim Integrated	NVSRAM	32	8	5000	85	70	4.5 ... 5.5	-40 ... 85	PBGA-256
DS3065W	Энергонезависимая SRAM объемом 8Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC		Maxim Integrated	NVSRAM	1024	8	5000	50	100	3 ... 3.6	-40 ... 85	PBGA-256
DS2030W	Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 256Кб и напряжением 3.3В		Maxim Integrated	NVSRAM	32	8	5000	50	100	3 ... 3.6	-40 ... 85	PBGA-256
DS1244W	Энергонезависимая SRAM емкостью 256 кбит со скрытыми часами реального времени		Maxim Integrated	NVSRAM	32	8	3000	50	120	3 ... 3.6	-40 ... 85	MOD-28 PCM-34
DS1230AB	Энергонезависимая SRAM емкостью 256Кб		Maxim Integrated	NVSRAM	32	8	150	85	70	4.75 ... 5.25	-40 ... 85	MOD-28 PCM-34
DS1646	Энергонезависимая SRAM с функцией хранения реального времени		Maxim Integrated	NVSRAM	128	8	4000	85	120	4.5 ... 5.5	0 ... 70	MOD-32 PCM-34
DS1350Y	Энергонезависимая SRAM емкостью 4096К со встроенной литиевой батареей		Maxim Integrated	NVSRAM	512	8	150	85	70	4.5 ... 5.5	-40 ... 85	PCM-34
DS1251W	Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кбит со скрытыми часами реального времени		Maxim Integrated	NVSRAM	512	8	3000	50	120	3 ... 3.6	-40 ... 85	MOD-32 PCM-34
DS1553	Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с Y2K-совместимыми часами реального времени		Maxim Integrated	NVSRAM	8	8	3000	50	70	4.5 ... 5.5	0 ... 70	MOD-28 PCM-34
DS1743W	Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени		Maxim Integrated	NVSRAM	8	8	2000	30	120	3 ... 3.6	-40 ... 85	MOD-28 PCM-34
DS1330W	Энергонезависимая SRAM емкостью 256К со встроенной литиевой батареей и напряжением питания 3.3В		Maxim Integrated	NVSRAM	32	8	150	50	100	3 ... 3.6	-40 ... 85	PCM-34
DS1556	Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени		Maxim Integrated	NVSRAM	128	8	6000	85	70	4.5 ... 5.5	-40 ... 85	MOD-32 PCM-34

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 следующая

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск