Компоненты группы NVSRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
ICC(STB) (мкА)
ICC (мА)
Время
выборки (нс)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация ICC(STB)
мкА
ICC
мА
Время
выборки
нс
VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                         
DS1330W Энергонезависимая SRAM емкостью 256К со встроенной литиевой батареей и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
32 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PCM-34
DS1248W Энергонезависимая SRAM емкостью 1024кбит со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
128 8 3000 50 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS2030W Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 256Кб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
32 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1747W Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
512 8 2000 30 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1258W Энергонезависимая SRAM емкостью 128Кx16 и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 16 250 100 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-40
DS1250W Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
512 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1746W Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
128 8 2000 30 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS2045W Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1245W Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1230W Энергонезависимая SRAM емкостью 256Кб и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
32 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
DS1744W Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
32 8 2000 30 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
DS2065W Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 8Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS2050W Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
512 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1743W Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
8 8 2000 30 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
DS1249W Энергонезависимая SRAM емкостью 2048 Кб с напряжением питания 3,3 В Maxim Integrated NVSRAM
256 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
DS3065W Энергонезависимая SRAM объемом 8Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS3050W Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
512 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1742W Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
2 8 1000 30 120 3 ... 3.6 0 ... 70 MOD-24
DS2045L Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 1000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS2030L Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
32 8 1000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019