Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 145 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTT1H100 High Voltage MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 - - - - 11000 1.5 60 TO-268
IXTH1H100 High Voltage MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 - - - - 11000 1.5 60 TO-247AD
IXTP1N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.5 54 TO-220
IXTT1N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.5 60 TO-268
IXTA1N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.5 54 TO-263
IXTH1N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.5 60 TO-247AD
IXTY1N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 11000 11000 11000 11000 11000 0.75 40 TO-252 AA
IXTP1N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 11000 11000 11000 11000 11000 0.75 40 TO-220
IXTA1N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 11000 11000 11000 11000 11000 0.75 40 TO-263
TSM1NB60SCT Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 10000 0.5 2.5 TO-92
TSM1NB60CW Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 10000 0.5 2.1 SOT-223-3
TSM1NB60CH Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 10000 0.5 39 TO-251
TSM1NB60CP Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 10000 0.5 39 TO-252
IXTY1R6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 10000 10000 10000 10000 10000 1.6 100 TO-252
IXTP1R6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 10000 10000 10000 10000 10000 1.6 100 TO-220AB
IXTA1R6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 10000 10000 10000 10000 10000 1.6 100 TO-263
FQN1N60C 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 9300 1.2 1 TO-92
FQT1N60C N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 9300 0.2 2.1 SOT-223-4
FQU1N60C 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 9300 1 28 I-PAK
FQD1N60C 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 9300 1 28 D-PAK
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 145 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники