Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 145 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
ZXMN0545G4 450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
N 1 450 - - - - 50000 0.14 2 SOT-223-4
ZVN0545G SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
N 1 450 - - - - 50000 0.14 0.002 SOT-223-4
ZVN0545A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
N 1 400 - - - - 50000 0.09 0.7 TO-92
ZVN0540A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
N 1 400 - - - - 50000 0.09 0.7 TO-92
TSM9NB50CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 9 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 850 9 - TO-220
TSM9NB50CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 9 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 850 9 - ITO-220AB
TSM9N90CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 900 В, 9 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 900 - - - - 1400 9 290 TO-220
TSM9N90CN Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 900 В, 9.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 900 - - - - 1400 9.5 312 TO-3PN
TSM9N90CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 900 В, 9 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 900 - - - - 1400 9 48 ITO-220AB
TSM8N80CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 800 В, 8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 800 - - - - 1400 8 250 TO-220
TSM8N80CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 800 В, 8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 800 - - - - 1400 8 40.3 ITO-220AB
TSM8N70CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 700 В, 8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 700 - - - - 900 8 40 ITO-220AB
TSM8N50CP N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 7.2 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 850 7.2 89 TO-252
TSM8N50CH N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 7.2 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 850 7.2 89 TO-251
TSM7N90CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 900 В, 7 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 900 - - - - 1900 7 250 TO-220
TSM7N90CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 900 В, 7 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 900 - - - - 1900 7 40.3 ITO-220AB
TSM7N65CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 650 В, 6.4 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 650 - - - - 1200 6.4 125 TO-220
TSM7N65CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 650 В, 6.4 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 650 - - - - 1200 6.4 30 ITO-220AB
TSM7N60CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 7 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 1200 7 125 TO-220
TSM7N60CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 7 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 1200 7 30 ITO-220AB
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 145 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019