Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXTP1R6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения

 

Блок-схема

IXTP1R6N100D2, N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 1000
RDS(ON) 1.8 В,мОм 10000
RDS(ON) 2,7 В,мОм 10000
RDS(ON) 2,5 В,мОм 10000
RDS(ON) 4.5 В,мОм 10000
RDS(ON) 10 В,мОм 10000
ID,А 1.6
PD,Вт 100
Корпус TO-220AB
Datasheet
 
IXTx1R6N100D2 (173.3 Кб), 23.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTx1R6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения (173.3 Кб), 23.01.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 652 		Дата публикации: 23.01.2012 08:19
Дата редактирования: 23.01.2012 08:20

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники