Компоненты группы SRAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| LP621024D | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх8 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 10 | 2 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| LP61L1024 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх8 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
256 | 36 | 12 | 130 | 500 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| K6R4016V1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 8 | 80 | 5 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| K6R4016C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 65 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| K6R4008V1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 3.3В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 8 | 90 | 5 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| K6R4008C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 75 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| K6R4004C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 10 | 75 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS66WVE4M16BLL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 64Mb |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
4096 | 16 | 70 | 30 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS66WVE2M16BLL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 2048Kх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 16 | 70 | 30 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS66WV51216BLL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 55 | 35 | 150 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| IS66WV51216ALL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 70 | 25 | 120 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
| IS66WV25632BLL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх32 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 32 | 55 | 35 | 200 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| IS66WV25632ALL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх32 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 32 | 70 | 25 | 180 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
| IS66WV25616BLL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 55 | 35 | 200 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| IS66WV25616ALL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 70 | 25 | 120 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
| IS65WV12816BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 55 | 30 | 65 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS65WV12816ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 70 | 20 | 50 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
|
| IS65WV102416ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 25 | 60 | 200 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
TSOPI-48 |
| IS65LV256AL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 32Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 45 | 8 | 50 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 125 |
|
| IS65C6416AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 35 | 15 | 10 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
