|
Группа компонентов
High Speed SRAM
Основные параметры
| Организация: Слов,K |
4096
|
| Организация: Разрядов,бит |
16
|
Время
выборки,нс |
70
|
| Ток потребления: ICC,мА |
30
|
| VCC,В |
от 2.7 до 3.6
|
| TA,°C |
от -40 до 85
|
| Корпус |
TSOPI-48
TFBGA-48
|
Общее описание
Отличительные особенности
Приведенные ниже параметры относятся к устройствам с 32 Мбит и 64 Мбит памяти
- Различные режимы работы
- Интерфейс с поддержкой асинхронного и постраничного режимов
- Одиночное устройство поддерживает асинхронный и пакетный режимы
- Смешанный режим работы с поддержкой операций асинхронной записи и синхронного чтения
- Сдвоенная шина питания для оптимальной производительности
- Напряжение питания ядра VDD: 1.7…1.95 В (1.8-вольтовая версия)
- Напряжение питания линий ввода/вывода VDDQ: 1.7…1.95 В (1.8-вольтовая версия)
- Напряжение питания ядра VDD: 2.7…3.6 В (3-вольтовая версия)
- Напряжение питания линий ввода/вывода VDDQ: 2.7…3.6 В (3-вольтовая версия)
- Время чтения в постраничном режиме
- Межстраничный режим чтения: 70 нс
- Внутристраничный режим чтения: 20 нс
- Функции энергосбережения
- Регенерация с контролем по температуре
- Частичная регенерации ячеек памяти
- Режим глубокого снижения энергопотребления (DPD – Deep Power-Down)
- Ток потребления
- Асинхронный режим работы: менее 30 мА
- Внутристраничный режим чтения: менее 18 мА
- Режим ожидания: менее 110 мкА (32 Мбит), менее 180 мкА (64 Мбит)
- Режим DPD: менее 3 мкА (тип.)
- Диапазон рабочих температур: -40…+85°C
- Доступные корпуса: 48-выводные TFBGA и TSOP-I
|
Datasheet
 IS66WVE4M16BLL (515.7 Кб), 14.03.2011
Производитель
Где купить
Дистрибуторы
Дилеры
Где купить ещё
|
