Компоненты группы High Speed SRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
Время
выборки (нс)
Ток потребления: ICC (мА)
Ток потребления: ICC Shutdown (мкА)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 16 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация Время
выборки
нс
Ток потребления VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
ICC
мА
ICC Shutdown
мкА
                         
IDT71124 Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) IDT High Speed SRAM
128 8 12 160 5 -40 ... 85 4.5 ... 5.5 SOJ-32
IDT71128 Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) IDT High Speed SRAM
256 4 12 155 5 -40 ... 85 4.5 ... 5.5 SOJ-32
IDT71256L Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) IDT High Speed SRAM
32 8 20 135 0.6 4.5 ... 5.5 -40 ... 5.585 PDIP-28
DIP-28
PLCC-32
SOJ-28 (300mil)
IDT71256S Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) IDT High Speed SRAM
32 8 20 150 20 4.5 ... 5.5 -55 ... 125 PDIP-28
DIP-28
PLCC-32
SOJ-28 (300mil)
IDT71256SA Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) IDT High Speed SRAM
32 8 12 160 5 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 DIP-28
SOJ-28 (300mil)
TSOP-28
IDT71T016SA Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 2.5В IDT High Speed SRAM
64 16 10 160 5 -40 ... 85 2.375 ... 2.625 FBGA-48
SOJ-44
TSOP-44
IDT71V016SA Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
64 16 10 160 5 -40 ... 85 3 ... 3.6 FBGA-48
SOJ-44
TSOP-44
IDT71V124SA Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
128 8 10 145 5 -40 ... 85 3 ... 3.6 SOJ-32
TSOPII-32
IDT71V256SA Низкопотребляющая асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) IDT High Speed SRAM
32 8 10 100 200 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOJ-28 (300mil)
TSOP-28
IDT71V416L Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
256 16 10 180 5 -40 ... 85 3 ... 3.6 BGA-48
SOJ-44
TSOPII-44
IDT71V416S Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
256 16 10 200 5 -40 ... 85 3 ... 3.6 BGA-48
SOJ-44
TSOPII-44
IDT71V424L Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
512 8 10 165 5 -40 ... 85 3 ... 3.6 SOJ-36 (400mil)
SOJ-44
TSOPII-44
IDT71V424S Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
512 8 10 180 5 -40 ... 85 3 ... 3.6 SOJ-36 (400mil)
SOJ-44
TSOPII-44
IS61C1024AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128х8 ISSI High Speed SRAM
128 8 35 40 450 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-32
TSOPI-32
IS61C25616AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256х16 ISSI High Speed SRAM
256 16 12 50 300 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOJ-44
TSOPII-44
IS61C25616AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256х16 ISSI High Speed SRAM
256 16 10 50 200 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-44
TSOPII-44
IS61C25616AS Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256х16 ISSI High Speed SRAM
256 16 25 20 200 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOJ-44
TSOPII-44
IS61C256AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32х8 ISSI High Speed SRAM
32 8 10 - 350 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-28 (300mil)
TSOP-28
IS61C3216AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32х16 ISSI High Speed SRAM
32 16 12 45 350 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-44
TSOPII-44
IS61C5128AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 ISSI High Speed SRAM
512 8 10 50 200 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-36 (400mil)
SOP-32
TSOPI-32
TSOPII-32
TSOPII-44
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 16 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019