Компоненты группы SRAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BH62UV4000 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 10 | 10 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV2006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 55 | 55 | 20 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV1600 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
2048 | 8 | 55 | 115 | 100 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BH62UV8001 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BS616LV2016 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 55 | 62 | 20 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BS616LV1611 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 115 | 100 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| BH616UV8010 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| BS616LV2019 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 55 | 25 | 5 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| BS616UV1010 | Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
64 | 16 | 100 | 20 | 1.5 | 1.9 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BH616UV8011 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV4006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 70 | 20 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BS616UV2019 | Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 85 | 13 | 5 | 1.9 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| BH62UV1601 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
2048 | 8 | 55 | 12 | 30 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CY62137EV30 | Статическая память объемом 2Mb |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 55 | 2 | 1 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CY62158EV30 | Статическая память объемом 8Mb (1024K x 8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 45 | 1.8 | 2 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| CY7C4121KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (8M x18), 667 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
8192 | 18 | 3 | 2500 | - | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
| CY62146ESL | Статическая память объемом 4Mb (256Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 45 | 2 | 1 | 2.2 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| CY62177DV30 | Статическая память объемом 32Mb (2Mx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
2048 | 16 | 55 | 2 | 5 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CY62157CV33 | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 45 | 1.5 | 1 | 3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| CY62137FV18 | Статическая память объемом 2Mb |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 55 | 1.6 | 1 | 1.65 ... 2.25 | -40 ... 85 |
|
