Компоненты группы SRAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
IS64WV5128BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 8 | 25 | 200 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
|
|
BH62UV8001 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
AS7C31025B | Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 3.3В | Alliance Memory |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 10 | 20 | 1 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
W24129A | Высокоскоростная ИС статической памяти 16К х 8 | Winbond |
High Speed SRAM |
16 | 8 | 12 | 160 | 10 | 2.7 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
IS61WV5128ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 8 | 25 | 200 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
|
BH62UV4000 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 10 | 10 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IS62WV5128BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 55 | 45 | 15 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
AS7C31024B | Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 3.3В | Alliance Memory |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 10 | 20 | 1 | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
W24LH8 | ИС статической памяти 32К х 8 | Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 55 | 70 | 0.5 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSSOP-28 |
|
BS62UV256 | Высокопроизводительная сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 100 | 20 | 0.4 | 1.8 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
LP62S4096E-I | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 5 | 0.3 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IS61C256AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32х8 | ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 10 | - | 350 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
W24L257 | ИС статической памяти 32К х 8 | Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 55 | 35 | 0.7 | 2.7 ... 5.25 | -40 ... 85 |
TSSOP-28 |
|
GS74108A | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512K x 8) | GSI Technology |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 8 | 120 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
BS62LV256 | Высокопроизводительная малопотребляющая асинхронная статическая память | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 55 | 35 | 1 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
LP62S4096E-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 5 | 0.3 | 2.7 ... 3.6 | -25 ... 85 |
|
|
IS62WV5128ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 70 | 30 | 15 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
|
IS61C64AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 8Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
8 | 8 | 10 | 25 | 350 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
W2465 | ИС статической памяти 8К х 8 | Winbond |
Low Power SRAM |
8 | 8 | 55 | 70 | 0.7 | 4 ... 5.25 | 0 ... 70 |
|
|
IS61LV2568L | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 8 | 8 | 50 | 700 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|