Компоненты группы NAND Flash
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
NAND02GW3B2D | 2Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
|
NAND02GR3B2D | 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 45 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFG2G16Q2A | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
2 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFM2G16Q2A | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
2 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Mux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
NAND02GW3B2C | 2Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
K9F2G08U0A | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
|
NAND02GR3B2C | 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 50 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 15 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9F2G08R0A | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.65 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFG2G16Q2M | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
2 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
S30MS02GR | 2Гбит (128М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R | Spansion |
NAND Flash |
2 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 40 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
KFM2G16Q2M | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
2 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Mux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
S30MS02GR | 2Гбит (256М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R | Spansion |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 40 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
MT29F2G08AAC | 2Гбит (256М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
NAND04GW3C2B | 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 256 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
KFW4G16Q2A | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
4 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
HY27UF084G2M | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
|
MT29F4G08AAA | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
|
HY27UF164G2B | 4 Гбит (256М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
4 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|