Компоненты группы NAND Flash
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
K9KAG08U1M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
16 | 8 | 4096 | 256 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
|
TC58NVG1S3CTA00 | 256М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2112 | 132 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
NAND01GR3B2B | 1Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | 128 | 50 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 15 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
HY27UH08AG5M | 16 Гбит (2Г х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 45 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
NAND64GW3D4A | 64Гбит (4 кристалла по 16Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
64 | 8 | 4096 | 512 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
K9HBG08U1M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TLGA-52 TSOPI-48 |
|
TC58CYG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
|
K9F5608U0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.256 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 WSOPI-48 |
|
NAND128W3A | 128Мбит 3-вольтовая NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
0.128 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
S34SL01G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 1 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
1 | 64 | 2048 | 128 | 25 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|
|
S34SL02G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
2 | 64 | 2048 | 128 | 30 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|
|
S34SL04G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
4 | 64 | 2048 | 128 | 30 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|
|
KFG1216Q2B | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 FBGA-67 |
|
HY27UF164G2B | 4 Гбит (256М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
4 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
KFH2G16Q2M | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
2 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFG1216U2M | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 2.7 ... 3.6 | 25 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFG1G16Q2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
NAND02GW4B2D | 2Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
2 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
|
KFM4GH6Q4M | 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
4 | 16 | 4096 | 256 | 76 | 4 | Mux | 1.7 ... 1.95 | 50 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFG2G16Q2M | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
2 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |