+ AT26DF081A, 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись
 

AT26DF081A 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись

 

Блок-схема

AT26DF081A, 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись
Увеличить

Группа компонентов

Serial Flash

Основные параметры

Объем памяти,Мбит 8
Организация: Разрядов,бит 8
Страница,Байт 256
Блок,кБайт 4
Интерфейс SPI
F (макс.),МГц 70
VCC от 2.7 до 3.6
ICC(READ),мА 10
ICC(WRITE),мА 12
ICC(STB),мкА 25
TA,°C от -40 до 85
Корпус SOIC-8

Общее описание

AT26DF081A - флэш-память с последовательным интерфейсом доступа, которая разработана для использования в широком числе пользовательских приложений с высокой серийностью производства, в которых программный код хранится во внешней флэш-памяти, а исполняется во внутреннем или внешнем ОЗУ. Гибкая архитектура стирания AT26DF081A, поддерживающая минимальный стираемый объем памяти 4 кбайт, делает данную микросхему идеальной для приложений с функцией энергонезависимого хранения данных, исключая необходимость установки дополнительных внешних ЭСППЗУ.

Разделение на физические секторы и размеры стираемых блоков у AT26DF081A оптимизированы под потребности современных приложений с хранением программного кода и данных. За счет оптимизации размеров физических секторов и стираемых блоков память может использоваться более эффективно. Это объясняется тем, что для модулей программного кода и сегментов хранимых данных должны быть выделены их собственные сектора с отдельной защитой, поэтому, по сравнению с флэш-памятью с большим размером секторов и стираемых блоков в данном случае сокращается количество пустующих и незадействованных областей памяти. Улучшение эффективности использования памяти позволяет разместить в пределах равного объема памяти большее количество подпрограмм программного кода и сегментов хранимых данных.

AT26DF081A также поддерживает интеллектуальный механизм защиты отдельных секторов от ошибочного или несанкционированного программирования и стирания. Поддержка возможности раздельной установки и снятия защиты секторов позволяет реализовать приложение, в котором допускается изменение содержимого некоторых незащищенных секторов, а оставшиеся секторы массива памяти надежно защищены. Это необходимо, например, когда программа обновляется или модифицируется на модульной или подпрограммной основе или когда в одной микросхеме необходимо сочетать модифицируемые сегменты данных и сегменты программного кода, при этом, гарантировать невозможность несанкционированного изменения сегментов программного кода.

AT26DF081A рассчитана на работу в составе 3В-ых систем, поддерживая возможность чтения, программирования и стирания при напряжении питания 2.7В...3.6В. Для программирования и стирания не требуется подача отдельного напряжения.

Datasheet
 
AT26DF081A (657.5 Кб), 25.12.2012

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

AT26DF081A 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В (657.5 Кб), 25.12.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 3551
Дата публикации: 17.04.2008 15:03
Дата редактирования: 25.12.2012 12:15


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019