Компоненты группы Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
TS (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 14 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
TS
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                     
AT45DCB004D 4 МB, 2.7В DataFlash® Cards Atmel Corporation Flash Card
32768 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - DataFlash Card-7
AT45DCB008D 8 МB, 2.7В DataFlash® Cards Atmel Corporation Flash Card
65536 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - DataFlash Card-7
AT45DCB004C 4 МB, 2.7В DataFlash® Cards с последовательным интерфейсом Atmel Corporation Flash Card
32768 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - DataFlash Card-7
A29010 128K x 8 бит, 5-вольтовая FLASH память, унифицированные сектора AMIC Technology NOR Flash
128 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 - DIP-32
PLCC-32
TSOP-32
M25PX80 8Мб, 75МГц последовательная Flash память с интерфейсом SPI и двойным I/O Numonyx Serial Flash
- 8 2.3 ... 3.6 -40 ... 85 - DIP-8
SOIC-8
VFQFPN-8
M25P16 16 Мб, 75МГц последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 - DIP-8
SOIC-16-Wide
SOIC-8
VDFPN-8
VFQFPN-8
M25P80 8Мб, 75МГц низкопотребляющая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 - DIP-8
SOIC-8
VFQFPN-8
S30MS01GP 1Гбит (64М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 - FBGA-137
TSOPI-48
S30MS512P 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 - FBGA-137
TSOPI-48
S30MS512P 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 - FBGA-137
TSOPI-48
S30MS01GP 1Гбит (128М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 - FBGA-137
TSOPI-48
S26KL512S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 512 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
64 32 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 - FBGA-24
S26KL256S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 256 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
32 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 - FBGA-24
S26KL128S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
16 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 - FBGA-24
S26KS512S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 512 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
64 32 1.7 ... 1.95 -40 ... 125 - FBGA-24
S26KS256S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 256 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
32 16 1.7 ... 1.95 -40 ... 125 - FBGA-24
S26KS128S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
16 8 1.7 ... 1.95 -40 ... 125 - FBGA-24
NAND512W3A2C 512Мбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - FBGA-63
TSOPI-48
VFBGA-55
KFM1G16Q2B 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
HY27SS08561A 256 Мбит (32М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 0 ... 70 - FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 14 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019