Компоненты группы Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
TS (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 14 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
TS
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                     
S30MS512P 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 - FBGA-137
TSOPI-48
KFG1G16Q2A 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
KFG1G16Q2B 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
KFM1G16Q2B 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
KFG1G16Q2C 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
NAND08GR3B4C 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 - ULGA-52
KFM1G16Q2C 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
S26KS128S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
16 8 1.7 ... 1.95 -40 ... 125 - FBGA-24
NAND08GR3B2C 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 - ULGA-52
KFN2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
S26KS256S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 256 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
32 16 1.7 ... 1.95 -40 ... 125 - FBGA-24
KFM1G16Q2M 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
S26KS512S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 512 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
64 32 1.7 ... 1.95 -40 ... 125 - FBGA-24
KFN2G16Q2A 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
NAND04GR3B2D 4Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 - ULGA-52
KFM1G16Q2A 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
KFKAGH6Q4M 16Гбит (1024М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
HY27SF162G2B 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 0 ... 70 - TSOPI-48
KFG1G16Q2M 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
KFN8GH6Q4M 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 14 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019