Компоненты группы LDMOS транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
BLF573S | Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов | NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 500 | 50 | - | 300 | 27.2 | 70 | Да |
|
|
BLF574 | Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов | NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 500 | 50 | - | 500 | 26.5 | 70 | Да |
|
|
BLF574XR | Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов | NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 500 | 50 | - | 600 | 23.5 | 74.5 | Да |
|
|
BLF574XRS | Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов | NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 500 | 50 | - | 600 | 23.5 | 74.5 | Да |
|
|
BLF578 | Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов | NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 500 | 50 | - | 1200 | 26 | 75 | Да |
|
|
BLF578XR | Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов | NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 500 | 50 | - | 1400 | 23.5 | 69 | Да |
|
|
BLF578XRS | Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов | NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 500 | 50 | - | 1400 | 23.5 | 69 | Да |
|
|
BLF640 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 2200 | 28 | - | 10 | 18.5 | 15 | Да |
|
|
BLF642 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1 | 1400 | 32 | - | 35 | 19 | 63 | Да |
|
|
BLF644P | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 1300 | 32 | - | 70 | 23 | 65 | Да |
|
|
BLF645 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1 | 1400 | 32 | - | 100 | 18 | 56 | Да |
|
|
BLF647P | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 1500 | 32 | - | 200 | 18 | 70 | Да |
|
|
BLF647PS | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 1500 | 32 | - | 200 | 17.5 | 70 | Да |
|
|
BLF6G10-200RN | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 200 | 20 | 28.5 | Да |
|
|
BLF6G10-45 | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 45 | 22.5 | 7.8 | Да |
|
|
BLF6G10L-260PRN | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 260 | 22 | 26.5 | Да |
|
|
BLF6G10L-40BRN | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 40 | 23 | 15 | Да |
|
|
BLF6G10LS-135RN | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 135 | 21 | 28 | Да |
|
|
BLF6G10LS-160RN | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 32 | - | 160 | 22.5 | 27 | Да |
|
|
BLF6G10LS-200RN | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 200 | 20 | 28.5 | Да |
|