Компоненты группы LDMOS транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
BLA6H0912LS-1000 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
960 | 1215 | 50 | - | 1000 | 16 | 52 | Да |
|
|
BLA6H1011-600 | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1030 | 1090 | 48 | - | 600 | 17 | 52 | Да |
|
|
BLA8G1011L-300 | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1030 | 1090 | 32 | - | 300 | 16.5 | 56 | Да |
|
|
BLA8G1011L-300G | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1030 | 1090 | 32 | - | 300 | 16.5 | 56 | Да |
|
|
BLA8G1011LS-300 | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1030 | 1090 | 32 | - | 300 | 16.5 | 56 | Да |
|
|
BLA8G1011LS-300G | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1030 | 1090 | 32 | - | 300 | 16.5 | 56 | Да |
|
|
BLC8G20LS-310AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1930 | 1995 | 28 | 47.5 | 300 | 17 | 42.5 | Да |
|
|
BLC8G20LS-400AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1800 | 2000 | 32 | - | 400 | 15.5 | 44 | Да |
|
|
BLC8G21LS-160AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1805 | 2025 | 28 | - | 160 | 16 | 49 | Да |
|
|
BLC8G22LS-450AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | - | 450 | 14 | 41 | Да |
|
|
BLC8G24LS-240AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | - | 240 | 15 | 44 | Да |
|
|
BLC8G27LS-100AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2520 | 2620 | 28 | - | 100 | 15.5 | 45 | Да |
|
|
BLC8G27LS-140AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | - | 140 | 15 | 46 | Да |
|
|
BLC8G27LS-160AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | - | 160 | 14.5 | 43 | Да |
|
|
BLC8G27LS-180AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | - | 180 | 14 | 43.5 | Да |
|
|
BLC8G27LS-210PV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 200 | 17 | 30 | Да |
|
|
BLC8G27LS-240AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 240 | 15.5 | 45 | Да |
|
|
BLC8G27LS-245AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2690 | 28 | - | 240 | 14.5 | 43 | Да |
|
|
BLC8G27LS-60AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2520 | 2620 | 28 | - | 60 | 15.5 | 48 | Да |
|
|
BLC9G24LS-170AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | - | 170 | 15.5 | 48 | Да |
|