Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы LDMOS транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В		 P1dB
дБм		 POUT
Вт		 Gain (тип.)
дБ		 µD
%		 Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц		 F (макс.)
МГц
                           
BLF882S Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 10 960 50 - 200 21 62 Да SOT-502B
AFV09P350-04NR3 Радиочастотный LDMOS транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 720 960 48 53 100 19.5 48.5 Да OM-780-4L
MRFE6S9045NR1 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 865 960 28 46.5 10 22.1 32 Да TO-270-2
BLF882 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 10 960 50 - 200 21 62 Да SOT-502A
MRF8S9260HSR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 920 960 28 54.1 75 18.6 38.5 Да NI-880S
MRF8S9260HR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 920 960 28 54.1 75 18.6 38.5 Да NI-880
MRF8S9232NR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 865 960 28 53.6 63 18.1 36.3 Да OM-780-2
AFT09S282N Радиочастотный LDMOS транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 720 960 28 54.5 80 20 36.1 Да OM-780-2
MRF8S9220HSR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 920 960 28 53.4 65 19.4 35.7 Да NI-780S
AFT09S200W02S Радиочастотный LDMOS транзистор серии Airfast Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 930 960 28 51.7 56 19.4 35.6 Да NI-780S-2L
MRF8S9220HR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 920 960 28 53.4 65 19.4 35.7 Да NI-780
AFT09S200W02N Радиочастотный LDMOS транзистор серии Airfast Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 716 960 28 53 56 19.2 36.5 Да OM-780-2L
MRF8S9202GNR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 920 960 28 53 58 19 36.3 Да OM-780-2GULL
AFT09H310-03S Радиочастотный LDMOS транзистор серии Airfast Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 920 960 28 52.6 56 17.9 47.4 Да NI-1230S-4S
MRF8S9202NR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 920 960 28 53 58 19 36.3 Да OM-780-2
A2T07H310-24S Радиочастотный LDMOS транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 716 960 28 51 47 18.9 51.6 Да NI-1230S-4L2L
MRF8S9200NR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 920 960 28 53 58 19.9 37.1 Да OM-780-2
A2T07D160W04S Радиочастотный LDMOS транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 716 960 28 49 30 21.5 48.5 Да NI-780S-4L
MRF8S9170NR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 920 960 28 52.5 50 19.3 36.5 Да OM-780-2
MWE6IC9100NBR1 Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 865 960 26 50.5 100 33.5 54 Да TO-272WB-14
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 30 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники