Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
AFT05MP075NR1 Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
136 520 12.5 48.5 70 18.5 68.5 Да TO-270WB-4
BLF184XRG Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 700 23.9 73.5 Да SOT-1214C
BLF184XRS Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 700 23.9 73.5 Да SOT-1214B
BLF184XR Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 700 23.9 73.5 Да SOT-1214A
BLF183XRS Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 350 28 75 Да SOT-1121B
BLF183XR Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 350 28 75 Да SOT-1121A
MRF6V4300N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
10 600 50 54.8 300 22 60 Да TO-270WB-4
TO-272WB-4
MRF6V2300N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
10 600 50 54.8 300 25.5 68 Да TO-270WB-4
TO-272WB-4
BLP05H6200XR Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 200 28 75 Да SOT-1223-2
BLP05H6150XR Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 150 27 75 Да SOT-1223-2
BLP05H6110XR Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 110 27 75 Да SOT-1223-2
BLP05H675XR Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 75 27 75 Да SOT-1223-2
BLP05H635XR Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 35 27 75 Да SOT-1223-2
MRFE6VP6300H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 54.8 300 25 80 Да NI-780-4
NI-780S-4
MRFE6VP61K25N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 61 1250 23 72.3 Да OM-1230-4L
OM-1230G-4L
MRFE6VP61K25H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 61 1250 22.9 74.5 Да NI-1230GS-4L
NI-1230H-4S
NI-1230S-4S
MRFE6VP5600H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 57.8 600 24.6 75.2 Да NI-1230
NI-1230S
BLF188XRG Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 1400 26.5 83 Да SOT-1248C
MRFE6VP5300N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 54.8 300 25 70 Да TO-270WB-4
TO-270WBG-4
BLF188XRS Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 1400 29 75 Да SOT-539B
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019