Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы LDMOS транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В		 P1dB
дБм		 POUT
Вт		 Gain (тип.)
дБ		 µD
%		 Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц		 F (макс.)
МГц
                           
BLF6G38-10G WiMAX силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 3400 3600 28 - 10 14 20 Да SOT-975C
MRF7S27130HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2500 2700 28 51.1 23 16.5 20 Да NI-780S
MRF7S27130HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2500 2700 28 51.1 23 16.5 20 Да NI-780
AFT20P060-4GNR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1805 2170 28 47.8 6.3 18.9 20 Да OM-780G-4L
BLF6G27-10G Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2300 2700 28 - 10 19 20 Да SOT-975C
AFT20P060-4NR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1805 2170 28 47.8 6.3 18.9 20 Да OM-780-4L
BLF6G27-10 Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2300 2700 28 - 10 19 20 Да SOT-975B
A2I25D025GNR1 Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор с интегрированным усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2100 2900 28 43.8 3.2 32.5 20 Да TO-270WBG-17
A2I25D025NR1 Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор с интегрированным усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2100 2900 28 43.8 3.2 32.5 20 Да TO-270WB-17
AFT27S006NT1 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 100 3600 28 37.8 0.76 22.5 20.2 Да PLD--1.5W
AFT27S006N Радиочастотный LDMOS транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 100 3600 28 37.8 0.76 22.5 20.2 Да PLD--1.5W
BLF6G38LS-100 WiMAX силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 3400 3600 28 - 100 13 21.5 Да SOT-502B
BLF6G38-100 WiMAX силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 3400 3600 28 - 100 13 21.5 Да SOT-502A
BLF7G27LS-140 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2500 2700 28 - 140 16.5 22 Да SOT-502B
BLF7G27L-140 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2500 2700 28 - 140 16.5 22 Да SOT-502A
MRF6S27015GNR1 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2300 2700 28 41.8 3 14 22 Да TO-270-2GULL
MRF6S27015NR1 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2300 2700 28 41.8 3 14 22 Да TO-270-2
AFT20S015GNR1 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 100 3600 28 42.1 1.5 17.6 22 Да TO-270-2GULL
AFT20S015NR1 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 100 3600 28 42.1 1.5 17.6 22 Да TO-270-2
AFT27S010N Радиочастотный LDMOS транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 100 3600 28 40 1.26 21.7 22.6 Да PLD--1.5W
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 30 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники