Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
AFT27S006N Радиочастотный LDMOS транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
100 3600 28 37.8 0.76 22.5 20.2 Да PLD--1.5W
MRF6S19140HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1930 1990 28 51.5 29 16 27.5 Да NI-880S
AFT26P100-4WSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 49.4 22 15.3 43.9 Да NI-780S-4L
MHT1006NT1 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
728 2700 28 40 10 19.8 55.1 Да PLD--1.5W
MRF8S9120NR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
865 960 28 50.8 33 19.8 34.2 Да OM-780-2
A2I25D025NR1 Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор с интегрированным усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2100 2900 28 43.8 3.2 32.5 20 Да TO-270WB-17
MRF1513NT1 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
136 520 7.5 34.8 3 15 65 Да PLD--1.5W
MWE6IC9080N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
865 960 28 49.5 80 28.5 52.3 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
TO-272WB-14
AFT18H356-24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1995 28 56 63 15 46.7 Да NI-1230S-4L2L
MRF8S21120HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 50.3 28 17.6 34 Да NI-780
MRFE6VS25LR5 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 2000 50 44 25 25.9 74 Да NI-360-2
MRF5S9080NR1 MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
869 960 26 80 80 18 59 Да TO-270WB-4
MRF8P20100HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 2025 28 48.9 20 16 44.3 Да NI-780-4
MRF8P23160WHR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 51.8 30 14.1 36.5 Да NI-780-4
A2T20H330W24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 2025 28 53.8 58 16.9 50.5 Да NI-1230S-4L2L
MRF8S9260HR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 54.1 75 18.6 38.5 Да NI-880
AFT21S140W02GSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 50.5 32 19.3 33.5 Да NI-780GS-2L
MRF1570FN Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
136 520 12.5 48.5 70 11.5 60 Да TO-272-8
AFT18S290-13SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1995 28 54.2 63 18.2 31.2 Да NI-880XS-2L4S
AFT23S170-13SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 51.7 45 18.8 33.9 Да NI-780S-2L4S
Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019