Компоненты группы LDMOS транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
| F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| LET9070CB | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
100 | 2000 | 28 | - | 80 | 17 | 65 | Да |
|
| BLF7G20LS-140P | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1800 | 2000 | 28 | - | 140 | 17 | 54 | Да |
|
| PD85004 | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 1000 | 13.6 | - | 4 | 17 | 65 | Да |
SOT-89 |
| BLF8G27LS-140V | Силовой LDMOS-транзистор | - | NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 140 | 17 | 29 | Да |
|
| BLC8G27LS-210PV | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 200 | 17 | 30 | Да |
|
| BLF8G27LS-140 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 140 | 17 | 29 | Да |
|
| BLF6G13LS-250P | Силовой, двухтактный LDMOS-транзистор мощностью 250 Вт |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1300 | 1300 | 50 | - | 250 | 17 | 56 | Да |
|
| BLF6G13L-250P | Силовой, двухтактный LDMOS-транзистор мощностью 250 Вт |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1300 | 1300 | 50 | - | 250 | 17 | 56 | Да |
|
| BLF8G27LS-100GV | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 100 | 17 | 28 | Да |
|
| BLF8G27LS-100V | Силовой LDMOS-транзистор | - | NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 100 | 17 | 28 | Да |
|
| BLF888DS | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
470 | 806 | 50 | - | 600 | 17 | 48 | Да |
|
| PD55008-E | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 500 | 12.5 | - | 8 | 17 | 55 | Да |
|
| BLF8G27LS-100 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 100 | 17 | 28 | Да |
|
| BLF888D | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
470 | 806 | 50 | - | 600 | 17 | 48 | Да |
|
| MRF7S19170HSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1930 | 1990 | 28 | 52.3 | 50 | 17.2 | 32 | Да |
|
| MRF7S19170HR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1930 | 1990 | 28 | 52.3 | 50 | 17.2 | 32 | Да |
|
| AFT09MS031GN | Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1.8 | 941 | 12.5 | 44.9 | 32 | 17.2 | 71 | Да |
|
| AFT09MS031N | Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1.8 | 941 | 12.5 | 44.9 | 32 | 17.2 | 71 | Да |
|
| AFT09MS015N | Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
136 | 941 | 12.5 | 42 | 16 | 17.2 | 77 | Да |
|
| LET9060 | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 960 | 28 | - | 60 | 17.2 | 70 | Да |
|
