Компоненты группы MOSFET модули

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VDS (В)
ID (А)
RDS(ON) (макс.) (Ом)
QG (тип.) (нКл)
tr (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
VISO (В)
TJ (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VDS
В
ID
А
RDS(ON) (макс.)
Ом
QG (тип.)
нКл
tr (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
VISO
В
TJ
°C
Корпус
                           
IXFN64N50PD3 Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация IXYS MOSFET модули
500 50 0.085 150 25 22 3000 -55 ... 150 SOT-227 B
FMM60-02TF N-канальный силовой MOSFET модуль 200В, 33А, топлогия Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод IXYS MOSFET модули
200 33 0.04 90 46 42 2500 -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXFN64N50PD2 Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация IXYS MOSFET модули
500 50 0.085 150 25 22 3000 -55 ... 150 SOT-227 B
FMM75-01F N-канальный силовой MOSFET модуль 75В, 100А, топлогия Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод IXYS MOSFET модули
75 100 0.018 180 60 60 2500 -55 ... 150 ISOPLUS_i4
FMM150-0075X2F N-канальный MOSFET модуль 75В, 120А, встроенный быстровосстанавливающийся обратный диод IXYS MOSFET модули
75 120 0.0058 178 18 15 2500 -55 ... 175 ISOPLUS_i4
FMP76-01T Силовой P- и N-канальный MOSFET модуль -100В, -54А, топология с общим стоком IXYS MOSFET модули
-100 -54 0.024 197 40 20 2500 -55 ... 150 ISOPLUS_i4
FMP36-015P Силовой P- и N-канальный MOSFET модуль -150В, -22А, топология с общим стоком IXYS MOSFET модули
-150 -22 0.11 55 31 15 2500 -55 ... 150 ISOPLUS_i4
FMP26-02P Силовой P- и N-канальный MOSFET модуль -200В, -17А, топология с общим стоком IXYS MOSFET модули
-200 -17 0.17 56 33 21 2500 -55 ... 150 ISOPLUS_i4
FMD21-05QC овой MOSFET модуль, Chopper технология, повышающая конфигурация IXYS MOSFET модули
21 500 0.22 95 20 15 2500 -55 ... 150 ISOPLUS_i4
VKM60-01P1 Силовой MOSFET модуль 100 В, 75 А, топология H-Bridge, встроенный быстровосстанавливающийся обратный диод IXYS MOSFET модули
100 75 25 180 60 60 3600 -40 ... 150 ECO-PAC 2
IXFN100N10S2 Силовой MOSFET модуль с диодом Шоттки, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация IXYS MOSFET модули
100 100 0.015 180 70 30 3000 -40 ... 150 SOT-227 B
FDMF3035 Силовой интеллектуальный модуль (SPS) с рабочей частотой преобразования 1.5 МГц Fairchild Semiconductor MOSFET модули
5 50 2.5 - 8 8 2500 -40 ... 150 PQFN-31
IXFN100N10S1 Силовой MOSFET модуль с диодом Шоттки, быстровосстанавливающийся обратный диод, параллельная конфигурация IXYS MOSFET модули
100 100 0.015 180 70 30 3000 -40 ... 150 SOT-227 B
FSB50760SFS Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода Fairchild Semiconductor MOSFET модули
600 3.6 0.53 - 160 - 1500 -40 ... 150 SPM5Q-023
FSB50660SFS Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода Fairchild Semiconductor MOSFET модули
600 3.1 0.7 - 120 - 1500 -40 ... 150 SPM5Q-023
FSB70250 Интеллектуальные силовые модули семейства SPM® 7 с интегрированными 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами Fairchild Semiconductor MOSFET модули
500 3.3 3.4 - 145 - 1500 -40 ... 150 PQFN-27A
FSB70325 Интеллектуальные силовые модули семейства SPM® 7 с интегрированными 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами Fairchild Semiconductor MOSFET модули
250 4.1 1.4 - 72 - 1500 -40 ... 150 PQFN-27A
FSB70625 Интеллектуальные силовые модули семейства SPM® 7 с интегрированными 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами Fairchild Semiconductor MOSFET модули
250 6.9 0.8 - 70 - 1500 -40 ... 150 PQFN-27A
VMO60-05F N-канальный MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, контакт Кельвина IXYS MOSFET модули
500 60 0.075 405 45 30 3000 -40 ... 150 TO-240AA
VWM270-0075X2 Силовой MOSFET модуль трехфазного моста IXYS MOSFET модули
75 270 0.0021 360 225 265 500 -40 ... 175 ISOPLUS-DIL




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019