Компоненты группы MOSFET модули
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VDS В |
ID А |
RDS(ON) (макс.) Ом |
QG (тип.) нКл |
tr (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
VISO В |
TJ °C |
Корпус | |
IXFN64N50PD3 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
500 | 50 | 0.085 | 150 | 25 | 22 | 3000 | -55 ... 150 |
|
|
FMM60-02TF | N-канальный силовой MOSFET модуль 200В, 33А, топлогия Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод | IXYS |
MOSFET модули |
200 | 33 | 0.04 | 90 | 46 | 42 | 2500 | -55 ... 150 |
|
|
IXFN64N50PD2 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
500 | 50 | 0.085 | 150 | 25 | 22 | 3000 | -55 ... 150 |
|
|
FMM75-01F | N-канальный силовой MOSFET модуль 75В, 100А, топлогия Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод | IXYS |
MOSFET модули |
75 | 100 | 0.018 | 180 | 60 | 60 | 2500 | -55 ... 150 |
|
|
FMM150-0075X2F | N-канальный MOSFET модуль 75В, 120А, встроенный быстровосстанавливающийся обратный диод | IXYS |
MOSFET модули |
75 | 120 | 0.0058 | 178 | 18 | 15 | 2500 | -55 ... 175 |
|
|
FMP76-01T | Силовой P- и N-канальный MOSFET модуль -100В, -54А, топология с общим стоком | IXYS |
MOSFET модули |
-100 | -54 | 0.024 | 197 | 40 | 20 | 2500 | -55 ... 150 |
|
|
FMP36-015P | Силовой P- и N-канальный MOSFET модуль -150В, -22А, топология с общим стоком | IXYS |
MOSFET модули |
-150 | -22 | 0.11 | 55 | 31 | 15 | 2500 | -55 ... 150 |
|
|
FMP26-02P | Силовой P- и N-канальный MOSFET модуль -200В, -17А, топология с общим стоком | IXYS |
MOSFET модули |
-200 | -17 | 0.17 | 56 | 33 | 21 | 2500 | -55 ... 150 |
|
|
FMD21-05QC | овой MOSFET модуль, Chopper технология, повышающая конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
21 | 500 | 0.22 | 95 | 20 | 15 | 2500 | -55 ... 150 |
|
|
VKM60-01P1 | Силовой MOSFET модуль 100 В, 75 А, топология H-Bridge, встроенный быстровосстанавливающийся обратный диод | IXYS |
MOSFET модули |
100 | 75 | 25 | 180 | 60 | 60 | 3600 | -40 ... 150 |
|
|
IXFN100N10S2 | Силовой MOSFET модуль с диодом Шоттки, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
100 | 100 | 0.015 | 180 | 70 | 30 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
FDMF3035 | Силовой интеллектуальный модуль (SPS) с рабочей частотой преобразования 1.5 МГц | Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
5 | 50 | 2.5 | - | 8 | 8 | 2500 | -40 ... 150 |
|
|
IXFN100N10S1 | Силовой MOSFET модуль с диодом Шоттки, быстровосстанавливающийся обратный диод, параллельная конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
100 | 100 | 0.015 | 180 | 70 | 30 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
FSB50760SFS | Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода | Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
600 | 3.6 | 0.53 | - | 160 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
|
FSB50660SFS | Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода | Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
600 | 3.1 | 0.7 | - | 120 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
|
FSB70250 | Интеллектуальные силовые модули семейства SPM® 7 с интегрированными 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами | Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
500 | 3.3 | 3.4 | - | 145 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
|
FSB70325 | Интеллектуальные силовые модули семейства SPM® 7 с интегрированными 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами | Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
250 | 4.1 | 1.4 | - | 72 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
|
FSB70625 | Интеллектуальные силовые модули семейства SPM® 7 с интегрированными 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами | Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
250 | 6.9 | 0.8 | - | 70 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
|
VMO60-05F | N-канальный MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, контакт Кельвина | IXYS |
MOSFET модули |
500 | 60 | 0.075 | 405 | 45 | 30 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
VWM270-0075X2 | Силовой MOSFET модуль трехфазного моста | IXYS |
MOSFET модули |
75 | 270 | 0.0021 | 360 | 225 | 265 | 500 | -40 ... 175 |
|