Компоненты группы MOSFET модули
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VDS В |
ID А |
RDS(ON) (макс.) Ом |
QG (тип.) нКл |
tr (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
VISO В |
TJ °C |
Корпус | |
IXFN100N10S1 | Силовой MOSFET модуль с диодом Шоттки, быстровосстанавливающийся обратный диод, параллельная конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
100 | 100 | 0.015 | 180 | 70 | 30 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
GWM100-01X1 | Силовой MOSFET модуль трехфазного моста в изолированном сильноточном корпусе | IXYS |
MOSFET модули |
100 | 90 | 0.0085 | 90 | 95 | 55 | 1000 | -55 ... 175 |
|
|
GMM3x100-01X1 | Силовой MOSFET модуль трехфазного моста в изолированном сильноточном корпусе | IXYS |
MOSFET модули |
100 | 90 | 0.0085 | 90 | 95 | 55 | 1000 | -55 ... 175 |
|
|
VMO1200-01F | N-канальный MOSFET модуль, контакт Кельвина | IXYS |
MOSFET модули |
100 | 1220 | 0.00125 | 1710 | 1620 | 1020 | 3600 | -40 ... 150 |
|
|
VMO650-01F | N-канальный MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, контакт Кельвина | IXYS |
MOSFET модули |
100 | 690 | 0.0018 | 2300 | 500 | 200 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
VMO550-01F | N-канальный MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, контакт Кельвина | IXYS |
MOSFET модули |
100 | 590 | 0.0021 | 2000 | 500 | 200 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
VMM650-01F | N-канальный силовой MOSFET модуль 100В, 680А, топлогия Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод | IXYS |
MOSFET модули |
100 | 680 | 0.0018 | 1440 | 250 | 200 | 3600 | -40 ... 150 |
|
|
IXFN100N10S3 | Силовой MOSFET модуль с диодом Шоттки, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
100 | 100 | 0.015 | 180 | 70 | 30 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
GMM3x60-015X2 | Силовой MOSFET модуль трехфазного моста в изолированном сильноточном корпусе | IXYS |
MOSFET модули |
150 | 57 | 0.022 | - | - | - | 1000 | -55 ... 175 |
|
|
FMM110-015X2F | N-канальный силовой MOSFET модуль 150В, 53А, топлогия Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод | IXYS |
MOSFET модули |
150 | 53 | 0.02 | 150 | 16 | 18 | 2500 | -55 ... 175 |
|
|
VMO1600-02P | N-канальный MOSFET модуль, контакт Кельвина | IXYS |
MOSFET модули |
200 | 1600 | 0.0017 | 2900 | 1220 | 700 | 3600 | -40 ... 150 |
|
|
VMO580-02F | N-канальный MOSFET модуль, контакт Кельвина | IXYS |
MOSFET модули |
200 | 580 | 0.0038 | 2750 | 500 | 350 | 3600 | -40 ... 150 |
|
|
VMK90-02T2 | 2-канальный силовой MOSFET модуль,общий исток | IXYS |
MOSFET модули |
200 | 83 | 0.025 | 380 | 80 | 100 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
VMM85-02F | N-канальный силовой MOSFET модуль 200В, 84А, топология Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод | IXYS |
MOSFET модули |
200 | 84 | 0.025 | 380 | 80 | 100 | 3600 | -40 ... 150 |
|
|
VMM45-02F | N-канальный силовой MOSFET модуль 200В, 45А, топлогия Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод | IXYS |
MOSFET модули |
200 | 45 | 0.045 | 190 | 45 | 45 | 3600 | -40 ... 150 |
|
|
FMM60-02TF | N-канальный силовой MOSFET модуль 200В, 33А, топлогия Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод | IXYS |
MOSFET модули |
200 | 33 | 0.04 | 90 | 46 | 42 | 2500 | -55 ... 150 |
|
|
FSB70325 | Интеллектуальные силовые модули семейства SPM® 7 с интегрированными 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами | Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
250 | 4.1 | 1.4 | - | 72 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
|
FSB70625 | Интеллектуальные силовые модули семейства SPM® 7 с интегрированными 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами | Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
250 | 6.9 | 0.8 | - | 70 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
|
FMM50-025TF | N-канальный силовой MOSFET модуль 250В, 30А, топология Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод | IXYS |
MOSFET модули |
250 | 30 | 0.05 | 78 | 25 | 25 | 2500 | -55 ... 150 |
|
|
VMM300-03F | N-канальный силовой MOSFET модуль 300В, 290А, топология Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод | IXYS |
MOSFET модули |
300 | 290 | 0.0086 | 1440 | 400 | 150 | 3600 | -40 ... 150 |
|