Компоненты группы MRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
Время
выборки (нс)
VCC (В) От до
ICC(READ) (мА)
ICC(WRITE) (мА)
ICC(STB) (мкА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация Время
выборки
нс
VCC
В
ICC(READ)
мА
ICC(WRITE)
мА
ICC(STB)
мкА
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                           
MR2A16AV Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 256К х 16 бит Everspin Technologies MRAM
256 16 35 3 ... 3.6 55 105 9 -40 ... 105 BGA-48
TSOPII-44
MR4A08B Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 2M х 8 бит - Everspin Technologies MRAM
2048 8 35 3 ... 3.6 - - - - BGA-48
TSOPII-44
MR4A16B Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 1M х 16 бит - Everspin Technologies MRAM
1024 16 35 3 ... 3.6 - - - - BGA-48
Страницы: предыдущая 1 2  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019