Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRFS23N15D HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 150 - - - - 90 23 3.8 D2-PAK
STE45NK80ZD N-channel 800V - 0.11? - 45A ISOTOP Super FREDmesh™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 800 - - - - 110 45 600 ISOTOP
STP85NF55 N-CHANNEL 55V - 0.0062? - 80A - TO-220 STripFET™ II POWER MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 55 - - - - 6.2 80 300 TO-220
DMN3050S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 40 27 5.2 1.4 SOT-23-3
FDMS8672AS 30V N-Channel PowerTrench SyncFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 5.4 4 18 2.5 Power 56
IRF6622 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 25 - - - 8.9 6.3 15 34 DirectFET-SQ
STD5NK50Z N-CHANNEL 500V - 1.22? - 4.4A D/IPAK Zener-Protected SuperMESH™MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 1220 4.4 70 D-PAK
I-PAK
NVMFS5C604NL N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 60 В ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 1.7 1.2 287 200 DFN-5
STD100NH03L N-channel 30V - 0.005? - 60A - DPAK STripFET™ III Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 5 60 100 D-PAK
FDP13AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 11.5 62 115 TO-220AB
SiE820DF N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 - - 5.3 2.9 - 50 104 PolarPAK
TSM3400CX N-канальный MOSFET транзистор, 30 В, 5.8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 30 - 52 - 33 28 5.8 1.4 SOT-23-3
HUF75652G3 N-Channel UltraFET Power MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 6.7 75 515 TO-247
STI19NM65N N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - I2PAK second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 250 15.5 150 I2PAK
NTD5805N Power MOSFET 40V 51A 9.5 mOhm Single N-Channel DPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - 10.9 7.6 51 47 D-PAK
IRF9Z10 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 60 - - - - 500 6.7 43 TO-220AB
IRFI840GLC HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 850 4.5 40 TO-220F
FDC3601N Dual N-Channel 100V Specified PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 100 - - - - 370 1 0.96 SSOT-6
STF15NM60N N-channel 600V - 0.270? - 14A - TO-220FP Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 270 14 30 TO-220FP
ZVP2120G SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
P 1 -200 - - - - 25000 -0.2 2 SOT-223-4
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019