Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTH500N04T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 40 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 500 | 1000 |
|
|
IXFH320N10T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 320 | 1000 |
|
|
IXFH400N075T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 400 | 1000 |
|
|
IXFN36N110P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1100 | 240 | 240 | 240 | 240 | 240 | 36 | 1000 |
|
|
IXFT400N075T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 400 | 1000 |
|
|
IXFN30N110P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1100 | 360 | 360 | 360 | 360 | 360 | 25 | 1000 |
|
|
IXFK64N50Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q3-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 85 | 85 | 85 | 85 | 85 | 64 | 1000 |
|
|
IXFX64N50Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q3-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 85 | 85 | 85 | 85 | 85 | 64 | 1000 |
|
|
IXFN62N80Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 140 | 140 | 140 | 140 | 140 | 49 | 960 |
|
|
IXTQ480P2 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 120 | 120 | 120 | 120 | 120 | 52 | 960 |
|
|
IXFX120N30T | N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 | 120 | 960 |
|
|
IXFN44N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 220 | 220 | 220 | 220 | 220 | 38 | 960 |
|
|
IXTK60N50L2 | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 60 | 960 |
|
|
IXFX32N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 320 | 320 | 320 | 320 | 320 | 32 | 960 |
|
|
IXTX5N250 | Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 2500 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 5 | 960 |
|
|
IXTX60N50L2 | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 60 | 960 |
|
|
IXFK32N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 320 | 320 | 320 | 320 | 320 | 32 | 960 |
|
|
IXFT52N50P2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 120 | 120 | 120 | 120 | 120 | 52 | 960 |
|
|
IXFX26N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 460 | 460 | 460 | 460 | 460 | 26 | 960 |
|
|
IXTK5N250 | Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 2500 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 5 | 960 |
|