Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFK94N50P2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 55 | 55 | 55 | 55 | 55 | 94 | 1300 |
|
|
IXFX80N60P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 80 | 1300 |
|
|
IXFK80N60P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 80 | 1300 |
|
|
IXFK180N25T | N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 12.9 | 12.9 | 12.9 | 12.9 | 12.9 | 180 | 1390 |
|
|
IXFX180N25T | N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 12.9 | 12.9 | 12.9 | 12.9 | 12.9 | 180 | 1390 |
|
|
IXFX160N30T | N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 19 | 19 | 19 | 19 | 19 | 160 | 1390 |
|
|
IXFK160N30T | N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 19 | 19 | 19 | 19 | 19 | 160 | 1390 |
|
|
IXFX74N50P2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 77 | 77 | 77 | 77 | 77 | 74 | 1400 |
|
|
IXFK74N50P2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 77 | 77 | 77 | 77 | 77 | 74 | 1400 |
|
|
IXFN132N50P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q3-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 39 | 39 | 39 | 39 | 39 | 112 | 1500 |
|
|
IXFN110N60P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 56 | 56 | 56 | 56 | 56 | 90 | 1500 |
|
|
IXFB300N10P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 300 | 1500 |
|
|
IXFB210N20P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 10.5 | 10.5 | 10.5 | 10.5 | 10.5 | 210 | 1500 |
|
|
IXFB44N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 220 | 220 | 220 | 220 | 220 | 44 | 1560 |
|
|
IXFB100N50Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 49 | 49 | 49 | 49 | 49 | 100 | 1560 |
|
|
IXFB82N60Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 75 | 75 | 75 | 75 | 75 | 82 | 1560 |
|
|
IXFB62N80Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 140 | 140 | 140 | 140 | 140 | 62 | 1560 |
|
|
IXFX420N10T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 420 | 1670 |
|
|
IXFK420N10T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 420 | 1670 |
|
|
IXFK320N17T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 170 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 320 | 1670 |
|