Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
FDY301NZ | Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 9000 | - | - | 5000 | - | 0.2 | 0.625 |
|
|
TN2425 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | 5000 | 3500 | 1.5 | 1.6 |
SOT-89 |
|
Si1032X | N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 9000 | - | 7000 | 5000 | - | 0.2 | 0.3 |
SC89-3 |
|
Si1032R | N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 9000 | - | 7000 | 5000 | - | 0.2 | 0.3 |
SC75A |
|
TN2106N3-G | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 5000 | 2500 | 0.3 | 0.74 |
TO-92 |
|
TN2106K1-G | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 5000 | 2500 | 0.28 | 0.36 |
SOT-23-3 |
|
IXTP3N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 3 | 125 |
TO-220 |
|
IXTH3N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 3 | 125 |
|
|
IXTA3N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 3 | 125 |
|
|
IXTY08N50D2 | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 0.8 | 60 |
TO-252 |
|
IXTP08N50D2 | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 0.8 | 60 |
TO-220AB |
|
IXTA08N50D2 | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 0.8 | 60 |
|
|
IXFP3N120 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 200 |
TO-220 |
|
IXFA3N120 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 200 |
|
|
IXTH3N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 150 |
|
|
IXTP3N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 200 |
TO-220 |
|
IXTA3N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 200 |
|
|
TN2529 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 290 | - | - | - | 4000 | 4000 | 2.8 | 2 |
|
|
TSM2N7002KDCU6 | N-канальный MOSFET транзистор, 60 В, 0.3 А | Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 60 | - | - | - | 4000 | 2000 | 0.3 | 0.3 |
|
|
TN2524 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 240 | - | - | - | 4000 | 4000 | 2.8 | 1.6 |
SOT-89 |