Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTH6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 6 | 300 |
|
|
IXTP6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 6 | 300 |
TO-220AB |
|
TP0202K | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 30 | - | - | - | 2100 | 1250 | 0.385 | 0.35 |
SOT-23-3 |
|
IXTT12N140 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1400 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 12 | 890 |
|
|
IXTY3N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 3.6 | 70 |
TO-252 |
|
IXTP3N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 3.6 | 70 |
TO-220 |
|
IXFP3N50PM | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2.7 | 36 |
|
|
IXTA3N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 3.6 | 70 |
|
|
2N7000 | N-channel 60V - 1.8? - 0.35A - TO-92 STripFET™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 2000 | 1800 | 0.35 | 1 |
TO-92 |
|
IXFM6N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 6 | 180 |
|
|
IXFH6N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 6 | 180 |
|
|
IXTP4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 4 | 89 |
TO-220 |
|
FQPF5N60C | 600V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | 2000 | - | 4.5 | 33 |
TO-220F |
|
IXTA4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 4 | 89 |
|
|
FQP5N60C | 600V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | 2000 | - | 4.5 | 100 |
TO-220 |
|
IXTH5N100A | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 5 | 180 |
|
|
IXTM5N100A | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 5 | 180 |
|
|
MMBF2202PT1 | Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts P-Channel SC-70/SOT-323 | ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | 20 | - | - | - | 2000 | 1500 | 0.3 | 0.15 |
|
|
TN0110 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 2000 | 1600 | 3.4 | 1 |
TO-92 |
|
IXTY4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 4 | 89 |
TO-252 |