Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTP2N80 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 6200 | 6200 | 6200 | 6200 | 6200 | 2 | 54 |
TO-220 |
|
IXTA2N80 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 6200 | 6200 | 6200 | 6200 | 6200 | 2 | 54 |
|
|
IXTP3N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 3 | 125 |
TO-220AB |
|
IXTA3N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 3 | 125 |
|
|
STW3N150 | N-channel 1500 V - 6 ? - 2.5 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-247 | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | - | - | - | - | 6000 | 2.5 | 140 |
|
|
IXTY2N80P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 2 | 70 |
TO-252 |
|
IXTU2N80P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 2 | 70 |
|
|
IXTA2N80P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 2 | 70 |
|
|
IXTP2N80P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 2 | 70 |
TO-220 |
|
IXTH4N150 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 4 | 250 |
|
|
STD2NK70Z | N-channel 700V - 6? - 1.6 A - DPAK/IPAK Zener protected SuperMESH™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 700 | - | - | - | - | 6000 | 1.6 | 45 |
D-PAK |
|
BSS123W | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 10000 | 6000 | 0.17 | 0.2 |
SOT-23-3 |
|
BSS123A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 10000 | 6000 | 0.17 | 0.36 |
SOT-23-3 |
|
BSS123 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 6000 | 0.17 | 0.36 |
SOT-23-3 |
|
FQU2N90 | 900V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 900 | - | - | - | - | 5600 | 1.7 | 50 |
|
|
FQD2N90 | 900V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 900 | - | - | - | - | 5600 | 1.7 | 50 |
D-PAK |
|
ZVN4525Z | 250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | 5900 | 5600 | 0.25 | 1.2 |
SOT-89 |
|
ZVN4525G | 250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | 5900 | 5600 | 0.31 | 2 |
SOT-223-4 |
|
ZVN4525E6 | 250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | 5900 | 5600 | 0.23 | 1.1 |
SOT-23-6 |
|
FQP2N90 | 900V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 900 | - | - | - | - | 5600 | 2.2 | 85 |
TO-220 |