+ BSS123W, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

BSS123W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

 

Блок-схема

BSS123W, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 100
RDS(ON) 4.5 В,мОм 10000
RDS(ON) 10 В,мОм 6000
ID,А 0.17
PD,Вт 0.2
Корпус SOT-23-3

Общее описание
Datasheet
 
BSS123W (139.1 Кб), 27.04.2009

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

BSS123W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR (139.1 Кб), 27.04.2009



Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 897 Дата публикации: 27.04.2009 13:27
Дата редактирования: 27.04.2009 13:30

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники