Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
FDMC86261P | P-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток -150 В, выполненный по технологии PowerTrench® | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -150 | - | - | - | - | 160 | -9 | 40 |
|
|
IRF1310NS | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 36 | 42 | 3.8 |
D2-PAK |
|
FQU9N25 | 250V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 330 | 7.4 | 55 |
|
|
PHP191NQ06LT | N-channel Trenchmos (tm) logic level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | 3.5 | 3.1 | 75 | 300 |
TO-220AB |
|
BSC047N08NS3 | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 80 В, 100 А, 4.7 мОм | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 4.7 | 100 | 125 |
|
|
PH2925U | N-channel TrenchMOS ultra low level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | 3.2 | 2.3 | - | 100 | 62.5 |
|
|
SiE832DF | N-Channel 40-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 5.8 | 4.6 | 50 | 104 |
|
|
PSMN2R6-30YLC | N-канальный MOSFET-транзистор, изготовленный по технологии NextPower | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 30 | 2.8 | 2.8 | 2.8 | 2.8 | 2.8 | 100 | 106 |
|
|
NTMFS4821N | Power MOSFET 30 V, 58.5 A, Single N-Channel, SO-8 FL | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 8.6 | 5.3 | 13.8 | 2.4 |
|
|
IRF6215 | HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
P | 1 | 150 | - | - | - | - | 290 | 13 | 110 |
TO-220AB |
|
IRF6718 | N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET L2 package | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 1 | 0.5 | 61 | 4.3 |
|
|
STP4NK60Z | N-channel 600 V - 1.76 ? - 4 A SuperMESH™ Power MOSFET TO-220 | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 176 | 4 | 70 |
TO-220 |
|
IRFPS30N60K | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 160 | 30 | 450 |
|
|
NTB5411N | Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 8.4 | 80 | 166 |
D2-PAK |
|
FDP047N08 | N-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 3.7 | 164 | 268 |
TO-220 |
|
IRL3714 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | 28 | 20 | 36 | 43 |
TO-220AB |
|
DMP2004WK | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 1700 | - | - | 700 | - | -0.4 | 0.25 |
SOT-323 |
|
STD16NF25 | N-channel 250V - 0.195? - 13A - DPAK low gate charge STripFET™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 195 | 13 | 90 |
D-PAK |
|
IXFB44N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 220 | 220 | 220 | 220 | 220 | 44 | 1560 |
|
|
IRFBC30 | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 2200 | 3.6 | 74 |
TO-220AB |