+ PSMN2R6-30YLC, N-канальный MOSFET-транзистор, изготовленный по технологии NextPower
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

PSMN2R6-30YLC N-канальный MOSFET-транзистор, изготовленный по технологии NextPower

 

Блок-схема

PSMN2R6-30YLC, N-канальный MOSFET-транзистор, изготовленный по технологии NextPower

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 30
RDS(ON) 1.8 В,мОм 2.8
RDS(ON) 2,7 В,мОм 2.8
RDS(ON) 2,5 В,мОм 2.8
RDS(ON) 4.5 В,мОм 2.8
RDS(ON) 10 В,мОм 2.8
ID,А 100
PD,Вт 106
Корпус SOT-669

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Высокая эффективность
  • Транзисторы в корпусе Power-SO8 с минимальным в отрасли сопротивлением открытого канала: менее 1 мОм для 25- и 30-вольтовых версий
  • Низкое значение выходного заряда QOSS снижает потери между стоком и истоком
  • Низкое значение заряда затвор-сток QGD снижает потери коммутации
  • 20-вольтовый затвор увеличивает стойкость к скачкам напряжения
  • Улучшенные характеристики области безопасной работы (Safe Operating Area – SOA) по сравнению с Trench MOSFET-транзисторами других производителей
  • Оптимизированы для управления затвором напряжением 4.5 В
  • Оптимальные параметры коммутации при неполной и полной нагрузках
  • Корпус LFPAK совместим по посадочным местам с корпусом Power-SO8 других производителей
  • Отсутствие необходимости в рентгеновском контроле – контактные площадки корпуса LFPAK допускают визуальный контроль монтажа
Datasheet
 
PSMN2R6-30YLC (342 Кб), 24.01.2012

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

PSMN2R6-30YLC N-канальный MOSFET-транзистор, изготовленный по технологии NextPower (342 Кб), 24.01.2012

Связанные документы

По фирмам
NextPower MOSFETs Брошюра по MOSFET-транзисторам серии NextPower (1.7 Мб), 24.01.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 517 		Дата публикации: 24.01.2012 12:32
Дата редактирования: 24.01.2012 12:34

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники