Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXTA28P065T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -65 | 45 | 45 | 45 | 45 | 45 | -28 | 83 |
|
| IXTH120P065T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -65 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | -120 | 298 |
|
| IXTP120P065T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -65 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | -120 | 298 |
TO-220 |
| IXTA120P065T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -65 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | -120 | 298 |
|
| ZVP2106G | SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 5000 | -0.45 | 2 |
SOT-223-4 |
| ZVP3306A | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 14000 | -0.16 | 0.625 |
TO-92 |
| ZVP2106A | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 5000 | -0.28 | 0.7 |
TO-92 |
| SQJ461EP | Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | 21 | 16 | -30 | 83 |
PowerPAK_SO-8 |
| TSM10P06CP | P-канальный MOSFET транзистор, -60 В, -10 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | 220 | 170 | -10 | 37 |
TO-252 |
| NTB5605 | Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp P-Channel, D2PAK |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | - | -18.5 | 88 |
D2-PAK |
| TJ8S06M3L | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
Toshiba |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 104 | -8 | 27 |
|
| TJ15S06M3L | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
Toshiba |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 50 | -30 | 41 |
|
| TJ30S06M3L | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
Toshiba |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 21.8 | -30 | 68 |
|
| NTD2955 | Power MOSFET ?60 V, ?12 A, P?Channel DPAK |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 155 | -12 | 55 |
D-PAK |
| TJ50S06M3L | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
Toshiba |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 13.8 | -50 | 90 |
|
| TJ60S06M3L | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
Toshiba |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 11.2 | -60 | 100 |
|
| FQU17P06 | 60V P-Channel QFET® MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 135 | -12 | 44 |
|
| FQD17P06 | 60V P-Channel QFET® MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 135 | -12 | 44 |
D-PAK |
| NTD20P06L | Power MOSFET ?60 V, ?15.5 A, Single P?Channel, DPAK |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 11000 | -15.5 | 65 |
D-PAK |
| ZXMP6A17E6 | 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | 190 | 125 | -3 | 1.1 |
SOT-23-6 |
