Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTH240N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 240 480 TO-247
FDBL0120N40 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 40 В, 240 А Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 40 - - - - 1.2 240 300 H-PSOF
IXTA240N055T7 N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 240 480 TO-263-7
FDBL0090N40 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 40 В, 240 А Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 40 - - - - 0.9 240 357 H-PSOF
IXTP240N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 240 480 TO-220
IXTA240N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 240 480 TO-263
NTMFS5C612NL N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 60 В ON Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - 2.3 1.5 235 167 DFN-5
NVMFS5C612NL N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 60 В ON Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - 2.3 1.5 235 167 DFN-5
IXTV230N085TS TrenchMV Power MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 85 - - - - 3.7 230 550 PLUS220SMD
IXTV230N085T TrenchMV Power MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 85 - - - - 3.7 230 550 PLUS220
IXTQ230N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 4.4 4.4 4.4 4.4 4.4 230 550 TO-3P
IXTP230N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 75 4.2 4.2 4.2 4.2 4.2 230 480 TO-220
IXTH230N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 4.4 4.4 4.4 4.4 4.4 230 550 TO-247
IXTA230N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 75 4.2 4.2 4.2 4.2 4.2 230 480 TO-263
IXFH230N10T N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 4.7 4.7 4.7 4.7 4.7 230 650 TO-247
IXFH230N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 75 4.2 4.2 4.2 4.2 4.2 230 480 TO-247
IXTV230N85T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 4.4 4.4 4.4 4.4 4.4 230 550 PLUS220
IXTV230N85TS N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 4.4 4.4 4.4 4.4 4.4 230 550 PLUS220SMD
IRFSL3107PbF 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 75 - - - - 2.5 230 370 TO-262
IRFS3107PbF 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 75 - - - - 2.5 230 370 D2-PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники