Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTP170N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 75 5.4 5.4 5.4 5.4 5.4 170 360 TO-220
IXFH67N10 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 25 25 25 25 25 67 300 TO-247AD
IRF7907PBF HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 2 30 - - - 20.5 16.4 9.1 2 SOIC-8
STL20NM20N N-CHANNEL 200V - 0.088? - 20A PowerFLAT™ ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh™ II MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 200 - - - - 88 20 2.5 PowerFLAT
FCH104N60 N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 600 В, 37 А Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 104 37 357 TO-247
FQI7N80 800V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 800 - - - - 1200 6.6 167 I2PAK
STW11NK100Z N-channel 1000V - 1.1? - 8.3A - TO-247 Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 1100 8.3 230 TO-247
NTMFS4707N Power MOSFET 30 V, 17 A, Single N-Channel, SOIC-8 Flat Lead ON Semiconductor MOSFET
 N 1 30 - - - 10 13.5 10.2 2.3 SO-8 FL
IRF4104S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 40 - - - - 5.5 120 140 D2-PAK
IXFR18N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 660 660 660 660 660 10.5 200 ISOPLUS247
FQPF16N25C 250V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 250 - - - - 220 15.6 43 TO-220F
STD8NM60N N-channel 600 V - 0.56 ? - 7 A - IPAK - DPAK second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 600 - - - - 560 7 70 D-PAK
I-PAK
IXFB70N60Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 600 88 88 88 88 80 70 890 PLUS264
FDMS7578 N-канальный MOSFET транзистор PowerTrench® 25 В, 28 А, 5.8 мОм Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 25 - - - 8 5.8 28 33 Power 56
IRLI3215PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 150 - - - 200 166 12 80 TO-220
STD16NF06 N-channel 60V - 0.060? - 16A - DPAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 60 - - - - 60 16 40 D-PAK
TSM4872CS N-канальный MOSFET транзистор, 30 В, 15 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 30 - - - 10 7.5 15 3.1 SOP-8
FDP61N20 200V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 200 - - - - 34 61 417 TO-220
STF21NM60N N-channel 600 V - 0.17 ? - 17 A TO-220FP second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 600 - - - - 170 17 30 TO-220FP
IRFP15N60L HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 600 - - - - 385 15 280 TO-247AC
Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники