Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRFR9310PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 400 - - - - 7000 1.8 50 D-PAK
IXTP2N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 7000 7000 7000 7000 7000 2 100 TO-220
IRFR9310 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 400 - - - - 7000 1.8 50 D-PAK
IXTA2N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 7000 7000 7000 7000 7000 2 100 TO-263
FQU1N50 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 6800 1.1 25 I-PAK
FQD1N50 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 6800 1.1 25 D-PAK
IRFIBE20GPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 800 - - - - 6500 1.4 30 TO-220F
IRFIBE20G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 800 - - - - 6500 1.4 30 TO-220F
TSM2N70CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 700 В, 2 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 700 - - - - 6500 2 45 TO-220
IXTY1R6N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 6500 6500 6500 6500 6500 1.6 43 TO-252
TSM2N70CP Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 700 В, 2 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 700 - - - - 6500 2 45 TO-252
TSM2N70CH Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 700 В, 2 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 700 - - - - 6500 2 45 TO-251
IRFBE20PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 800 - - - - 6500 1.8 54 TO-220AB
IRFBE20 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 800 - - - - 6500 1.8 54 TO-220AB
STP2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 TO-220
STD2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, DPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 D-PAK
STU2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, IPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 I-PAK
STP2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A,TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 TO-220
STU2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, IPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 I-PAK
STD2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, DPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 D-PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019